FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 16A, 25A, 25uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor fechado de nível lógico. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Spec info: IDM--80A pulse. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P( GCE ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Função: Comutação do inversor de ressonância de corrente . Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 400 ns. Td(ligado): 30 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.1V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.1V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 600V. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4650pF. Tipo de canal: N. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 60A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.3 ns. Td(ligado): 0.09 ns. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.45V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 18A, TO-3P( N )IS, TO-3P, 600V. Ic(T=100°C): 18A. Carcaça: TO-3P( N )IS. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Função: Aplicações de comutação de alta potência. Corrente do coletor: 37A. Ic(pulso): 100A. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.51 ns. Td(ligado): 0.33 ns. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.3V. Tensão porta/emissor VGE: 25V. Número de terminais: 3. Spec info: transistor bipolar de porta isolada (IGBT). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Marcação na caixa: 10N120BND. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 23A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 23A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: SMPS, IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Data de produção: 2014/17. Corrente do coletor: 54A. Ic(pulso): 96A. Marcação na caixa: 12N60A4D. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 96 ns. Td(ligado): 17 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.6V. Número de terminais: 3. Spec info: >100kHz, 390V, 12A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 12A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 12A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 24A. Ic(pulso): 96A. Marcação na caixa: G12N60C3D. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 270 ns. Td(ligado): 14 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: UFS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 160A. Marcação na caixa: G20N60B3D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 165W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Spec info: Tempo de queda típico 140ns a 150°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: SMPS Series IGBT. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Marcação na caixa: G30N60A4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.6V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, TO-247, 60A, TO-247 ( AC ), 600V. Carcaça: TO-247. Ic(T=100°C): 60A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. RoHS: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: SMPS Series IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diod. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 240A. Marcação na caixa: 30N60A4D. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 463W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 463W. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 63A, TO-247, TO-247AC, 600V. Ic(T=100°C): 63A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 75A. Ic(pulso): 300A. Marcação na caixa: 40N60A4. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 625W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 145 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 7V. Spec info: 100kHz Operation At 390V 40A. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 40A. Marcação na caixa: 5N120BND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 182 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 250pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75307D. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 250uA, 0.09 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 55V. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.09 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 250pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75307D. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 250uA, 6.5m Ohms, TO-247, TO-247, 55V. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 6.5m Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3200pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75344 G. Pd (dissipação de energia, máx.): 285W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 75A, 250uA, 0.065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3200pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75344 P. Pd (dissipação de energia, máx.): 285W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3790pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UltraFET Power MOSFET. Id(im): 430A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75645 P. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 65A, 75A, 250uA, 0.0115 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AB ), 100V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AB ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3790pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 145 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: UltraFET Power MOSFET. Id(im): 430A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 75645 S. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 20A, 250uA, 0.017 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-252AA ), 30 v. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.017 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-252AA ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 850pF. Custo): 465pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 58 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 76121D. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: UltraFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 30 v, 75A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: HUF76145P3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 110 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 135 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4900pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 270W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Outro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 15A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 29W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 750 ns. Td(ligado): 600 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, Outro, PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ), 600V. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Função: 6 x IGBT For Power Management. Corrente do coletor: 20A. Nota: driver de motor CA trifásico. Frequência: 20kHz. Número de terminais: 24. Pd (dissipação de energia, máx.): 29W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 650 ns. Td(ligado): 970 ns. Tecnologia: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Temperatura operacional: -40...+100°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.6V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 75A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 75A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247 ( AC ). Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 4620pF. Custo): 240pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Função: VCEsat muito baixo. Corrente do coletor: 140A. Ic(pulso): 225A. Marcação na caixa: G75H603. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 428W. RoHS: sim. Prazo de entrega: KB. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 265 ns. Td(ligado): 31 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 5.7V. Spec info: Transistor IGBT com tecnologia Trench and Fieldstop . Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 15A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 15A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1165pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Corrente do coletor: 30A. Ic(pulso): 45A. Marcação na caixa: H15R1203. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 254W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.48V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.75V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 20A, TO-247, PG-TO247-3, 1200V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): PG-TO247-3. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1340pF. Custo): 43pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Função: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Marcação na caixa: H20MR5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 288W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 350 ns. Td(ligado): 260 ns. Tecnologia: TRENCHSTOP TM technology. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.55V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 1.75V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.1V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS