Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND

Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND
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Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V - HGTG5N120BND. Transistor de canal N, 10A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 10A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 25A. Ic(pulso): 40A. Marcação na caixa: 5N120BND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 182 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 3.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 19:25.

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Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Carcaça: TO-247. Habitação ...
HGTG10N120BND
Transistor de canal N, 17A, TO-247, TO-247, 1200V. Ic(T=100°C): 17A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 35A. Ic(pulso): 80A. Marcação na caixa: 10N120BND. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 165 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Transistor IGBT série NPT com diodo hiperrápido antiparalelo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.45V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.8V
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