FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 7A, 11A, 100uA, 0.48 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 500V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.48 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1515pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 120ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: QFET ® FRFET ® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 43nC, Crss baixo 20pF. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7.5A, 11.8A, 10uA, 0.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 11.8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1220pF. Custo): 220pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 48A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 20 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 100uA, 0.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 830pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 208 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 135 ns. Td(ligado): 15 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 11.1A, 15.7A, 10uA, 0.042 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 11.1A. DI (T=25°C): 15.7A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 480pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 62.8A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 543pF. Custo): 54pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 642 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 12A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 22.5 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 13nC, Crss baixo 5,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.3A, 4A, 100uA, 3.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.3A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 740pF. Custo): 65pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 47W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.9A, 5A, 10uA, 1.14 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 2.9A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1.14 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 480pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 263 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 18nC, Crss baixo 15pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1290pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 60 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 56W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: Carga de porta baixa (típico 40nC), Low Crss 10pF . Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 37.5A, 53A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 3170pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 212A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 17nC, Crss baixo 5,6pF. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, ITO-220, 600V, 7.6A, TO-220FP, TO-220F, 600V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQPF8N60C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 45 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1255pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 81 ns. Td(ligado): 16.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5.4A, 9A, 100uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 5.4A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 790pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 93 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: +55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 28nC, Crss baixo 24pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Interruptor rápido, carga de portão baixa 40nC, Crss baixo 14pF . Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 250uA, 9.3 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 600V. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 9.3 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 130pF. Custo): 19pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: FQT1N60C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 7 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 4. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.55A, 0.85A, 10uA, 1.1 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 200V. DI (T=100°C): 0.55A. DI (T=25°C): 0.85A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1.1 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 240pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 3.4A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 7 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Custo): 36pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 10.9A, 17.2A, 10uA, 0.046 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. DI (T=100°C): 10.9A. DI (T=25°C): 17.2A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.046 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251AA ( I-PAK ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 480pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 54 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68.8A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Carga de porta baixa (tipo 9,5nC). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1500pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. IDss (min): na. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 10A, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. On-resistência Rds On: 0.72 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Função: Ifsm--30App. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade

Transistor de canal N, 12A, 12A, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 12A. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação de alta velocidade

Transistor de canal N, 75A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 75A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 5300pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 100A. Ic(pulso): 150A. Marcação na caixa: FS75R12KE3G. Dimensões: 122x62x17.5mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 355W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42us. Td(ligado): 26us. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.65V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.15V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Função: ICRM 150A Tp=1ms. Número de terminais: 35. Nota: 6x IGBT+ CE Diode. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 1.54 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FN. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1380pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH-SPEED SW.. Id(im): 21A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 1200A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 1200A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 74pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 1790A. Ic(pulso): 2400A. Pd (dissipação de energia, máx.): 7150W. RoHS: NINCS. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.92 ns. Td(ligado): 0.41 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão limite Vf (máx.): 2.35V. Tensão direta Vf (min): 1.8V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Número de terminais: 7. Função: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 5.3m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1800pF. Custo): 280pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 200A. IDss (min): n/a. Marcação na caixa: G60N04K. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Função: comutação de energia, conversores DC/DC. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS