Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF3N80C

Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF3N80C. Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 100uA, 4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 543pF. Custo): 54pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 642 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 12A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 22.5 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 13nC, Crss baixo 5,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 06:25.