FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. DI (T=100°C): 23.3A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.067 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1250pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 132A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 227W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 40nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 62A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 4830pF. Custo): 945pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 248A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 245 ns. Td(ligado): 75 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. DI (T=100°C): 49.5A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2500pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 280A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Spec info: Carga de porta baixa (típico 85nC). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 100uA, 1.12 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 2100pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA9N90C. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Peso: 4.7g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, ITO-3P, 900V, 7.2A, 0.91 Ohms, TO-3PF, 900V, 30, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-3P. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. On-resistência Rds On: 0.91 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PF. Tensão Vds(máx.): 900V. Carcaça (padrão JEDEC): 30. Carcaça: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQAF11N90C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. DI (T=100°C): 9.8A. DI (T=25°C): 15.6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.074 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 670pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 62.4A. IDss (min): 1uA. Equivalentes: FQD19N10LTM. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 15A, 24A, 10uA, 0.031 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.031 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 800pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 55 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: transistor MOSFET com portas de nível lógico. Id(im): 96A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 30N06L. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.258 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 100V. DI (T=100°C): 3.67A. C (pol.): 220pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 5.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FQD7N10L. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Função: Carga baixa do portão. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 600V, 12A, TO-220, 600V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP12N60C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.65 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 70 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 280 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 225W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.05A, 12.8A, 10uA, 0.142 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 9.05A. DI (T=25°C): 12.8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.142 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 345pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 72 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 51.2A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 65W. RoHS: sim. Peso: 2.07g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: N-Channel enhancement mode power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 50. Função: N-CH/100V/12.8A/0.18 Ohms MOSFET NON MPQ. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7.9A, 12.5A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 7.9A. DI (T=25°C): 12.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1800pF. Custo): 245pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 40 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Velocidade de comutação rápida. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 195W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET) . Spec info: Carga de porta baixa (típico 43nC). Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 13.5A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.078 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 600pF. Custo): 165pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 78 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12.1A, 19A, 19A, 0.14 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 12.1A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 19A. On-resistência Rds On: 0.14 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 76A. Pd (dissipação de energia, máx.): 139W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, td(on)15ns, td(off)135ns. Tecnologia: transistor MOSFET de canal N (DMOS, QFET)

Transistor de canal N, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.04 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1150pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 132A. IDss (min): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 127W. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 30.8A, 43.5A, 10uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 30.8A. DI (T=25°C): 43.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1400pF. Custo): 425pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 98 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 174A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 146W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 32.2A, 45.6A, 10uA, 0.033 Ohms, TO-220, TO-220, 150V. DI (T=100°C): 32.2A. DI (T=25°C): 45.6A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.033 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 2500pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 182A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 210W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 210 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 60V, 52.4A, TO-220, 60V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 52.4A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06L. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 26.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 50 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 170 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1630pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 121W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: DMOS, QFET, LOGIC N-Ch. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 18A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo de potência em modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1420pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1290pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 27nC, Crss baixo 10pF. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60A, 85A, 10uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 60A. DI (T=25°C): 85A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 3170pF. Custo): 1150pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 300A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 160W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 175 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.8A, 8A, 8A, 1.12 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 1.12 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 900V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. Pd (dissipação de energia, máx.): 205W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 45nC, Crss baixo 14pF

Transistor de canal N, 6A, 9.5A, 9.5A, 0.36 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 6A. DI (T=25°C): 9.5A. Idss (máx.): 9.5A. On-resistência Rds On: 0.36 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 38A. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: DMOS, QFET. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 20nC, Crss baixo 40,5pF