FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.041 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 3090pF. Custo): 630pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, AC/DC Converter. Proteção GS: NINCS. Id(im): 236A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 392W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 70 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 44.2A, 69A, 10uA, 0.034 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 44.2A. DI (T=25°C): 69A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.034 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 3570pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP TV, AC/DC Converter. Proteção GS: NINCS. Id(im): 276A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 480W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 95 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.0087 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-263AB. Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1970pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SUPERSOT-6, 8V, 1.5A/1.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SUPERSOT-6. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 8V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.5A/1.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 30A, 0.023 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FDD5690. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1110pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 24 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 50A, 1uA, 0.0088 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.0088 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 25 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V

Transistor de canal N, 15A, 59A, 59A, 0.016 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 59A. Idss (máx.): 59A. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1400pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 26 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Marcação na caixa: FDD6635. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 55W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 50A, 65A, 1uA, 8.2M Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 50A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 8.2M Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5070pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. Nota: Transistor fechado de nível lógico. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 69 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 0.8V

Transistor de canal N, 11.4A, 18A, 500uA, 61m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 150V. DI (T=100°C): 11.4A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 61m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 575pF. Custo): 64pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56.4 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Vitesse de commutation rapide, faible charge de grille. Proteção GS: NINCS. Id(im): 36A. IDss (min): 1uA. Nota: High performance trench technology. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 56.8W. RoHS: sim. Spec info: resistência RDS(on) extremamente baixa. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15.8 ns. Td(ligado): 10.3 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 15.2A, 57A, 1uA, 0.085 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 15.2A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.085 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1970pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Proteção GS: NINCS. Id(im): 100A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FDD8447L. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 44W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 11A, 40A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 40A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 880pF. Custo): 195pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 23 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Power Trench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-247, TO-247-3, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247-3. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 45A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 45A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FDH45N50F. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ 22.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 215 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 6630pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 625W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, SMD, Power-56-8, 30 v. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 7.5A. Carcaça: SMD. Habitação (conforme ficha técnica): Power-56-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 2. Tipo de transistor: MOSFET. Função: 7.5A, Rds-on 0.013 Ohms (Q1). Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Spec info: 7.5A, Rds-on 0.0215 Ohms (Q2). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: transistor MOSFET duplo de canal N, 30V, Mosfet PowerTrench

Transistor de canal N, 10.8A, 18A, 10uA, 0.22 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. DI (T=100°C): 10.8A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.22 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2200pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 72A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 235W. RoHS: sim. Spec info: Faible charge de grille (45nC typique). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 55 ns. Tecnologia: N-Channel MOSFET (UniFET). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 56A, 79A, 250uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 56A. DI (T=25°C): 79A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 5870pF. Custo): 615pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 105 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 57A, 80A, 250uA, 0.009 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 57A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 6000pF. Custo): 820pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 64 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Proteção GS: NINCS. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 43A, 61A, 250uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 43A. DI (T=25°C): 61A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2880pF. Custo): 3990pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 62 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão DC/DC e inversores UPS. Proteção GS: NINCS. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: N-Channel PowerTrench® MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6.9A, 11.5A, 10uA, 0.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.46 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 945pF. Custo): 155pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: sim. Id(im): 46A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. RoHS: sim. Spec info: Carga de porta baixa (típico 23nC), Low Crss 14pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: UniFET TM II MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3A, 5A, 10uA, 1.15 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1.15 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 480pF. Custo): 66pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 28W. RoHS: sim. Spec info: Carga de porta baixa (típico 11nC), Low Crss 5pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: UniFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3A, 5A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 720pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 20A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.5W. RoHS: sim. Spec info: Carga de porta baixa (típico 12nC), Low Crss 9pF. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 6 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: UniFET Ultra FRMOS MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 13A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 13A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6670A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 64 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2220pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 11A, 10uA, 9.8m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 9.8m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1205pF. Custo): 290pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: controle de nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 50A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 8.2A/6.9A, 8.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.2A/6.9A. Carcaça (padrão JEDEC): 8.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6900AS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.036 Ohms / 0.038 Ohms @ 8.2/6.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF/600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 6A/6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: FDS6912. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms/0.028 Ohms @ 6A/6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 740pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C