FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 0.10 Ohms, TO-220, 60V. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 60V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 7A. Potência: 50W

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 24A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 24A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS132. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 42V, 0.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 38us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45us. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.78W. Família de componentes: low-side MOSFET. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 42V, 0.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.9 Ohms @ 0.2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 38us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45us. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.78W. Família de componentes: low-side MOSFET. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), TO-263/5, 42V, 5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: TO-263/5. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 5. Marcação do fabricante: BTS410E2. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.22 Ohms @ 1.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 125us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 85us. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 45V, 1.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 45V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS4141N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 0.5A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 100us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 150us. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 42V, 11A, 38m Ohms, TO-220, TO-220-5-11. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. On-resistência Rds On: 38m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220-5-11. RoHS: sim. Marcação do fabricante: BTS432E2. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 300us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80us. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Número de terminais: 5. Spec info: PROFET N-MOS 43V 11A. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 42V, 11A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/5. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS432E2-SMD. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.038 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 300us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 80us. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK/5, TO-263, 41V, 9.8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/5. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 41V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 200us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 250us. Dissipação máxima Ptot [W]: 75W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 18V, 40A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/7. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 18V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 6. Marcação do fabricante: S50010E. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.002 Ohm @ 40A. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), P-DSO-12, 40V, 2.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: P-DSO-12. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 12:1. Marcação do fabricante: BTS5210L. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.14 Ohms @ 2.4A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 250us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270us. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), P-DSO-12, 40V, 3.7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: P-DSO-12. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 12:1. Marcação do fabricante: BTS5215L. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 250us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270us. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK/7, TO-263, 34V, 4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/7. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS611L1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 1.8A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 400us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 400us. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK/5, TO-252, 38V, 7A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK/5. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 38V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS6142D. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 7.5A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 600us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 600us. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), P-DSO-20, 34V, 2.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: P-DSO-20. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 34V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BTS721L1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 2A. Tempo de ativação ton [nseg.]: 400us. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 400us. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -40°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 30 milliOhms, SO, PG-DSO20. On-resistência Rds On: 30 milliOhms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): PG-DSO20. Função: Interruptor de alimentação inteligente no lado superior . Saída: 2db N-MOS 43V 5.5A. Número de terminais: 20. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . VCC: 5...34V

Transistor de canal N, 7.5A, 13.5A, 13.5A, 0.12 Ohms, 50V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 13.5A. Idss (máx.): 13.5A. On-resistência Rds On: 0.12 Ohms. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 20uA, 2.1 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 20uA. On-resistência Rds On: 2.1 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 750pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Power MOSFET SMPS. Id(im): 16A. IDss (min): 2uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 10 ns. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 61A, 75A, 1uA, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V, 0.009 Ohms. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 75A. Idss (máx.): 1uA. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-404. Tensão Vds(máx.): 55V. On-resistência Rds On: 0.009 Ohms. C (pol.): 2230pF. Custo): 510pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 62 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 347A. IDss (min): 0.05uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 166W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 84 ns. Td(ligado): 18 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 38A, 54A, 10uA, 17m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), SOT-404, 55V. DI (T=100°C): 38A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 17m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-404. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1200pF. Custo): 290pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 217A. IDss (min): 0.05uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 118W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 15 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 14A, 20A, 500uA, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V, 0.064 Ohms. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-78 ( TO220AB ). Tensão Vds(máx.): 55V. On-resistência Rds On: 0.064 Ohms. C (pol.): 440pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 81A. IDss (min): 0.05uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 62W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 28 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Automotivo, comutação de energia, motor 12V e 24V. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. DI (T=100°C): 37A. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.018 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): P-TO263-3-2. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1220pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: SIPMOS, PowerMosfet. Temperatura operacional: -55...+175°C. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 19A, 30A, 100uA, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AC, 50V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AC. Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 1500pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 180 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 32A, 42A, 42A, 0.028 Ohms, 50V. DI (T=100°C): 32A. DI (T=25°C): 42A. Idss (máx.): 42A. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 22A, 39A, 39A, 40m Ohms, 50V. DI (T=100°C): 22A. DI (T=25°C): 39A. Idss (máx.): 39A. On-resistência Rds On: 40m Ohms. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Tecnologia: V-MOS S/L. Nota: 250/500ns. Quantidade por caixa: 1