FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 34A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 34A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUZ22. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 34A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 30 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 300 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1850pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.6A, 2.6A, 1000V. DI (T=25°C): 2.6A. Idss (máx.): 2.6A. Tensão Vds(máx.): 1000V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. Tecnologia: V-MOS L. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 7A, 11A, 250uA, 0.23 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 330pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 44A. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Enhancement Mode Power MOSFET Transistor. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUZ73LH. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.4 Ohms @ 3.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 840pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.5A, 2.4A, 2.4A, 3 Ohms, 500V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss (máx.): 2.4A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 2A, 3A, 3A, 1.8 Ohms, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Tensão Vds(máx.): 400V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS. Nota: <57/115ns. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 400V, 2.7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2.7A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BUZ76A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 75 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 40W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 1.7A, 2.7A, 2.7A, 4 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.7A. Idss (máx.): 2.7A. On-resistência Rds On: 4 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: <50/105ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 1.7A. DI (T=25°C): 2.9A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 460pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 350 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. Id(im): 11.5A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: V-MOS. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2.1V. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 1.5A, 2.1A, 2.1A, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.1A. Idss (máx.): 2.1A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Tecnologia: V-MOS (F). Nota: <100/220ns. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 3.2A, 3.2A, 800V. DI (T=25°C): 3.2A. Idss (máx.): 3.2A. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: V-MOS. Pd (dissipação de energia, máx.): 78W. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 4.5A, 1.6 Ohms, 600V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 4.5A. On-resistência Rds On: 1.6 Ohms. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 2.8A, 4A, 4A, 2 Ohms, 600V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Tecnologia: TO-220F. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 5A, 8A, 8A, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 8A. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 5A, 8A, 10uA, 0.9 Ohms, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 0.1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Tecnologia: V-MOS

Transistor de canal N, 52A, 52A, 0.011 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=25°C): 52A. Idss (máx.): 52A. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Modo de aprimoramento de nível lógico. Id(im): 156A. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Field Effect Power MOSFET

Transistor de canal N, 200A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 40pF. Custo): 14pF. Tipo de canal: N. Função: Transistor IGBT duplo (isolado). Corrente do coletor: 200A. Ic(pulso): 400A. Dimensões: 108x62x31mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 250 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Número de terminais: 7. Spec info: Comutação de alta potência. Diodo CE: NINCS. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 5A, 1uA, 0.024...0.042 Ohms, WSON6, Caixa de plástico de 2 mm × 2 mm, 30 v. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 0.024...0.042 Ohms. Carcaça: WSON6. Habitação (conforme ficha técnica): Caixa de plástico de 2 mm × 2 mm. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 260pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 57A. Número de terminais: 6. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 17W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 4.2 ns. Td(ligado): 2.8 ns. Tecnologia: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.9V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 600A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 37pF. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 600A. Ic(pulso): 1200A. Dimensões: 172x89x37mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 3350W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.7 ns. Td(ligado): 0.21 ns. Temperatura operacional: -40...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.7V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.8V. Número de terminais: 10. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Função: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 6A/-4.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6A/-4.2A. RoHS: sim. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: C3025LS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms/0.05 Ohms @ 6/-4.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.2V/-2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11.2 ns/7.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 14.5/28.2 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 590/631pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Família de componentes: MOSFET, 2 x N-MOS, 2 x P-MOS. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-264 ( TOP-3L ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-264. Tensão Vds(máx.): 200V. Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 900pF. Custo): 500pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 250W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 155 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.1V. Spec info: transistor complementar (par) ECW20P20. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 10mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 200V. Pinagem: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C (pol.): 500pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diversos: Amplificador de potência HI-FI. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Amplificador de potência de áudio MOSFET. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 100 ns. Tecnologia: N–CHANNEL POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 14V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 1.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.15V. Spec info: transistor complementar (par) ECX10P20. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.32 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1148pF. Custo): 671pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 390 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: ID pulse 33A. Id(im): 33A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 119 ns. Td(ligado): 34 ns. Tecnologia: SuperFET MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.32 Ohms, TO-220F, 7A, 11A, 10uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V, 650V. On-resistência Rds On: 0.32 Ohms. Carcaça: TO-220F. DI (T=100°C): 7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.33 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 650V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 11A. Potência: 36W. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V