Transistor de canal N, 200A, Outro, Outro, 1200V - CM200DY-24H

Transistor de canal N, 200A, Outro, Outro, 1200V - CM200DY-24H. Transistor de canal N, 200A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 200A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 40pF. Custo): 14pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Função: Transistor IGBT duplo (isolado). Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 200A. Ic(pulso): 400A. Número de terminais: 7. Dimensões: 108x62x31mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 1500W. RoHS: sim. Spec info: Comutação de alta potência. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 300 ns. Td(ligado): 250 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 6V. Produto original do fabricante Mitsubishi Electric Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 08:25.