FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, Outro, Outro, 600V. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Tipo de canal: N. Corrente do coletor: 30A. Dimensões: 107.5x45x17mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 700W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 250 ns. Td(ligado): 50 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 24. Spec info: 7x IGBT. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS

Transistor de canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. On-resistência Rds On: 15 Ohms. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Nota: 5ns...20ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tecnologia: D-MOS Log.L

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.173A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSN20. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 25pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 100nA. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 250pF. Custo): 88pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. IDss (min): 10nA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 8.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 6 ns. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 600V, 0.12A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.12A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP125. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 45 Ohms @ 0.12A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 130pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.7W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 600V, 0.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP135. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 60 Ohms @ 0.01A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 42 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 146pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 60V, 1.8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP295. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 1.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.1 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 41 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 368pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 200V, 0.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.6A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP297. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2 Ohms @ 0.65A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, 240V, 0.35A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BSP89. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 140pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.8W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 23pF. Custo): 6pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 600mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.19A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.19A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SAs . Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ 0.15A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 3.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 11 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 20.9pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 100V, 0.17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.17A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 40pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 170mA. Idss (máx.): 46.4k Ohms. On-resistência Rds On: 6 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 20pF. Custo): 9pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 680mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 225mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento de nível lógico de transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.6V. Vgs(th) mín.: 1.6V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 20pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 600V, 0.021A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.021A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SHS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 500 Ohms @ 0.016A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 28pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 240V, 0.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SRs. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.8V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 77pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 27pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.88A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Peso: 0.008g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 50V, 200mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 200mA. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 36ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 27pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 50V, 0.2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: J1. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 250V, 0.03A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.03A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: STs. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 30 Ohms @ 15mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 76pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 55V, 0.54A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.54A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.43 Ohm @ 0.27A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 31 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 75pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.36W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 0.25A, 1000uA, 5 Ohms, TO-92, TO-92, 240V. DI (T=25°C): 0.25A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 240V. C (pol.): 80pF. Custo): 15pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1A. IDss (min): 100uA. Marcação na caixa: SS88. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 5 ns. Tecnologia: ‘Modo de aprimoramento’. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 0.6V. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 1uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): SOT54. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 0.8A. IDss (min): 0.01uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Very fast switching, Logic level compatible. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=100°C): 0.12A. DI (T=25°C): 0.19A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 25pF. Custo): 8.5pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca muito rápida. Id(im): 0.8A. IDss (min): 0.01uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: transistor de efeito de campo em modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Spec info: compatível com nível lógico. Proteção GS: NINCS