FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 41A, 1000uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. DI (T=25°C): 41A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 4360pF. Custo): 895pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 280 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção GS: NINCS. Id(im): 164A. IDss (min): 250uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: Power MOS 7 FREDFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 44A, 250uA, 0.10 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT-227 ), 500V. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT-227 ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 7400pF. Custo): 1000pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção GS: NINCS. Id(im): 176A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 450W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, 12A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2600pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: comutação rápida, baixo vazamento. Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 260W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Power MOSV. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-343, 5V, 0.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-343. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: 5Fx. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 0.37V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.27W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N. Quantidade por caixa: 1. Nota: TU

Transistor de canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-92, AM/FM/VHF, 25V, 10mA, TO-92, 39V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): AM/FM/VHF. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 39V. RoHS: NINCS. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BF246A. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -14.5V @ +15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 14.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.6V

Transistor de canal N, 13mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (máx.): 13mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: para amplificadores RF VHF/UHF. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 0.5V

Transistor de canal N, 18mA, TO-92, TO-92, 30 v. Idss (máx.): 18mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: para amplificadores RF VHF/UHF. IDss (min): 11mA. IGF: 10mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 350mW. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 0.5V

Transistor de canal N, 25mA, 6.5mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 6.5mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 2mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 20*. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 2mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.2V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 0.4V

Transistor de canal N, 25mA, 15mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 15mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 6mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 21*. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 6mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 3.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 1.6V

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 22*. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V

Transistor de canal N, 30mA, 18mA, SOT-143, SOT-143, 18V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 18mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 18V. C (pol.): 3pF. Custo): 1.2pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V. Proteção GS: sim. IDss (min): 2mA. Marcação na caixa: M90. Número de terminais: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET

Transistor de canal N, 30mA, 4mA, SOT-143, SOT-143, 20V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 4mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 2.3pF. Custo): 0.8pF. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 2mA. Nota: serigrafia/código SMD MH. Marcação na caixa: MH. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD)

Transistor de canal N, 30mA, 15mA, SOT-143, SOT-143, 12V. DI (T=25°C): 30mA. Idss (máx.): 15mA. Carcaça: SOT-143. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-143. Tensão Vds(máx.): 12V. C (pol.): 2.1pF. Custo): 1.1pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações VHF e UHF com tensão de alimentação de 12V. Proteção GS: NINCS. IDss (min): 5mA. Marcação na caixa: MOS. Número de terminais: 4. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 200mW. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Silicon N-channel dual-gate MOS-FET. Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-143B, 12V, 30mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-143B. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: BF998. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2.5pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 25V, 5mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 5mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: M2. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -2V @ +10V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.25W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. On-resistência Rds On: 15 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 85pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 2A. Marcação na caixa: BS107. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS107A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: (DS) MOSFETs. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 0.5A, 10nA, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92, 60V. DI (T=25°C): 0.5A. Idss (máx.): 10nA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 24pF. Custo): 40pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1.2A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: BS170. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 10 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo, Pequenos sinais. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-92, 60V, 0.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS170G. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-92, 60V, 0.3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS170_D27Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 10 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 24pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.83W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Outro, Outro, 600V. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 30A. Número de terminais: 24. Dimensões: 107.5x45x17mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 700W. RoHS: sim. Spec info: 7x IGBT. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 250 ns. Td(ligado): 50 ns. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.95V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 0.1A, 0.1A, 15 Ohms, 50V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. On-resistência Rds On: 15 Ohms. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Nota: 5ns...20ns. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. Tecnologia: D-MOS Log.L