Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107

Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107
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Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V - BS107. Transistor de canal N, 120mA, 30nA, 15 Ohms, TO-92, TO-92, 200V. DI (T=25°C): 120mA. Idss (máx.): 30nA. On-resistência Rds On: 15 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 85pF. Custo): 20pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Tff(25°C): 8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 2A. Marcação na caixa: BS107. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Produto original do fabricante Diodes Inc.. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 20:25.

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Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-92, 1, 200V, 250mA, TO-92, 200V. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-92. Carcaça (padrão JEDEC): 1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 250mA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 200V. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: BS107A. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 14 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 60pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: (DS) MOSFETs. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V
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