Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C

Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C
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Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v - BF245C. Transistor de canal N, 25mA, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 4pF. Custo): 1.6pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 300mW. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 20:25.

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Transistor de canal N, 25mA, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=25°C): 25mA. Idss (máx.): 25mA. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1.7pF. Custo): 0.8pF. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: JFET. Função: HF-VHF. IDss (min): 12mA. IGF: 10mA. Marcação na caixa: 22*. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 12mA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo de junção de silício. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 7.8V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3.2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Proteção GS: NINCS
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