FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5.2A, 6.5A, 5uA, 18M Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. DI (T=100°C): 5.2A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 18M Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 1160pF. Custo): 187pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 17.7 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51.7 ns. Td(ligado): 6.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 8V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 0.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Protegido contra ESD. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 15A, 18A, 5uA, 0.0047 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 15A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 0.0047 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 6060pF. Custo): 638pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 33.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 80A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 51.5 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 1. Função: Low side switch in Notebook CPU core power converter. Spec info: Resistência de portão ultrabaixa. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 12.7A. Idss (máx.): 20mA. On-resistência Rds On: 0.0098 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1980pF. Custo): 317pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 11.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 60A. IDss (min): 0.02mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 27 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Vgs(th) máx.: 2.3V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: FET em SMPS, comutação de carga. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 16A, 20A, 0.1mA, 20mA, 0.0039 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 20A. Idss: 0.1mA. Idss (máx.): 20mA. On-resistência Rds On: 0.0039 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3760pF. Custo): 682pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 18 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 100A. IDss (min): 0.1mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 34 ns. Td(ligado): 9.5 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 20mA. On-resistência Rds On: 0.0058 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2154pF. Custo): 474pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 12 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. IDss (min): 0.1mA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 25.2 ns. Td(ligado): 6.8 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1.3V. Quantidade por caixa: 1. Função: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.6A, 4.5A, 5uA, 46m Ohms, SO, SO-8, 60V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 46m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 27.5us. Função: Transistor MOSFET, Rds (ON) muito baixo. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 4.7V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal N, 18A, 18A, 5uA, 13.6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 13.6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 1040pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D408. Pd (dissipação de energia, máx.): 60W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17.4 ns. Td(ligado): 4.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: transistor complementar (par) AOD405. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 12A, 5uA, 47m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 47m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 450pF. Custo): 61pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 27.6 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 30A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 20W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 4.2 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 42A, 54A, 5uA, 6m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 54A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 6m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 951pF. Custo): 373pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Diodo Trr (mín.): 10.2 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Conversor de tensão CC/CC. Id(im): 96A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 18.5 ns. Td(ligado): 6.25 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power MOSFET . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1.8V. Número de terminais: 2. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 2500. Spec info: RDS muito baixo (ligado) a 10VGS. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.5A, 3.9A, 10uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 400V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 3.9A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 400V. Custo): 16pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 172ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 15A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 52W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 18 ns. Td(ligado): 17 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. C (pol.): 273pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 500V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.71 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 962pF. Custo): 98pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 332ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 27A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 24 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 51A, 80A, 5uA, 5.3m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 60V. DI (T=100°C): 51A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 5.3m Ohms. Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 2850pF. Custo): 258pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 170A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Efeito de campo do modo de aprimoramento (SRFET) . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 115A, 150A, 5uA, 1.9m Ohms, PowerPAK SO-8, PowerSO-8 ( DFN5X6 ), 30 v. DI (T=100°C): 115A. DI (T=25°C): 150A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 1.9m Ohms. Carcaça: PowerPAK SO-8. Habitação (conforme ficha técnica): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 3430pF. Custo): 1327pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 22 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 83W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 33.8 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: A mais recente tecnologia Trench Power AlphaMOS . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 36A, 46A, 5uA, 7.7m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. DI (T=100°C): 36A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 5uA. On-resistência Rds On: 7.7m Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1100pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 19 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: High efficiency power supply, secondary synchronus rectifier. Id(im): 110A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: AOY2610E. Pd (dissipação de energia, máx.): 59.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 22 ns. Td(ligado): 6.5 ns. Tecnologia: Trench Power AlphaSGTTM technology. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.4V. Vgs(th) mín.: 1.4V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 25m Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-220, TO-220, 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 25m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 mS. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 25m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03GS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 1V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 8.4A. DI (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (máx.): 10.4A. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 450pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 20 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. Marcação na caixa: 4800C G M. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2.5W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Modo de aprimoramento Power MOSFET . Função: comutação rápida, conversor DC/DC. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 48A, 48A, 200uA, 48m Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 300V. DI (T=100°C): 48A. DI (T=25°C): 48A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 48m Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 8440pF. Custo): 1775pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 160A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 88N30W. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 312W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 220 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Mosfet de potência em modo de aprimoramento . Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Temperatura operacional: -55°C...+150°C. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 32A, 250uA, 0.02 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 32A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.02 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 1170pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 24 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Id(im): 150A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 9962GH. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 27.8W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 8 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, DIP, DIP-8. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DIP-8. Tipo de canal: N. Função: MOS-N-FET. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Quantidade por caixa: 2. Spec info: 0.050R (50m Ohms)

Transistor de canal N, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=100°C): 16A. DI (T=25°C): 25A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, inversores, fontes de alimentação. Id(im): 90A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 9971GH. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 39W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 0.036 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220CFM. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 37 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NO. Id(im): 80A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, 4A, 7A, 0.050R (50m Ohms), SO, SO-8, 60V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 7A. On-resistência Rds On: 0.050R (50m Ohms). Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 60V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 2. Id(im): 28A. Marcação na caixa: 9971GM. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 4W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Função: tf 5.5ns, td(on) 9.6ns, td(off) 30ns

Transistor de canal N, 4A, 4A, SOT-89, SOT-89, 20V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Carcaça: SOT-89. Habitação (conforme ficha técnica): SOT-89. Tensão Vds(máx.): 20V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 12ns. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: Modo de aprimoramento MOSFET