Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.92€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.73€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.53€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.33€ |
50 - 62 | 2.65€ | 3.26€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 3.19€ | 3.92€ |
5 - 9 | 3.03€ | 3.73€ |
10 - 24 | 2.87€ | 3.53€ |
25 - 49 | 2.71€ | 3.33€ |
50 - 62 | 2.65€ | 3.26€ |
Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v - AP40T03GJ. Transistor de canal N, 24A, 28A, 25uA, 25m Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 30 v. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 28A. Idss (máx.): 25uA. On-resistência Rds On: 25m Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 655pF. Custo): 145pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 95A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 40T03 GP. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 31.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 16 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 14:25.
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