Transistor de canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

Transistor de canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V

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Transistor de canal N AOD9N50, D-PAK ( TO-252 ), 5.7A, 9A, 10uA, 0.71 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.71 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 500V. : aprimorado. C (pol.): 962pF. Cobrar: 13.1nC. Corrente de drenagem: 5.7A. Custo): 98pF. Diodo Trr (mín.): 332ns. IDss (min): 1uA. Id(im): 27A. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD). Pd (dissipação de energia, máx.): 178W. Polaridade: unipolar. Potência: 178W. Proteção GS: não. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. RoHS: sim. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 24 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão da fonte de drenagem: 500V. Tensão de fonte de porta: ±30V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.3V. Quantidade em estoque atualizada em 13/12/2025, 00:44

AOD9N50
33 parâmetros
Carcaça
D-PAK ( TO-252 )
DI (T=100°C)
5.7A
DI (T=25°C)
9A
Idss (máx.)
10uA
On-resistência Rds On
0.71 Ohms
Habitação (conforme ficha técnica)
D-PAK TO-252AA
Tensão Vds(máx.)
500V
aprimorado
C (pol.)
962pF
Cobrar
13.1nC
Corrente de drenagem
5.7A
Custo)
98pF
Diodo Trr (mín.)
332ns
IDss (min)
1uA
Id(im)
27A
Montagem/instalação
componente montado em superfície (SMD)
Pd (dissipação de energia, máx.)
178W
Polaridade
unipolar
Potência
178W
Proteção GS
não
Proteção contra fonte de drenagem
sim
Quantidade por caixa
1
RoHS
sim
Td(desligado)
55 ns
Td(ligado)
24 ns
Temperatura operacional
-55...+150°C
Tensão da fonte de drenagem
500V
Tensão de fonte de porta
±30V
Tensão porta/fonte Vgs
30 v
Tipo de canal
N
Tipo de transistor
MOSFET
Vgs(th) máx.
4.5V
Vgs(th) mín.
3.3V