Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123

Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123. Transistor de canal N, 150mA, 100uA, 3.5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. DI (T=25°C): 150mA. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 3.5 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 23pF. Custo): 6pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 11 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: serigrafia/código SMD SA. Id(im): 600mA. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: SA. Equivalentes: BSS123LT1G, BSS123-7-F. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 2.8V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.