Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
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1 - 9 | 0.13€ | 0.16€ |
10 - 24 | 0.13€ | 0.16€ |
25 - 49 | 0.12€ | 0.15€ |
50 - 99 | 0.11€ | 0.14€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.14€ |
250 - 499 | 0.0999€ | 0.1229€ |
500 - 2759 | 0.12€ | 0.15€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 9 | 0.13€ | 0.16€ |
10 - 24 | 0.13€ | 0.16€ |
25 - 49 | 0.12€ | 0.15€ |
50 - 99 | 0.11€ | 0.14€ |
100 - 249 | 0.11€ | 0.14€ |
250 - 499 | 0.0999€ | 0.1229€ |
500 - 2759 | 0.12€ | 0.15€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A - BSS123LT1G. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 20pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 17:25.
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