Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.17€ | 0.21€ |
250 - 499 | 0.17€ | 0.21€ |
500 - 2511 | 0.16€ | 0.20€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 9 | 0.28€ | 0.34€ |
10 - 24 | 0.26€ | 0.32€ |
25 - 49 | 0.25€ | 0.31€ |
50 - 99 | 0.24€ | 0.30€ |
100 - 249 | 0.17€ | 0.21€ |
250 - 499 | 0.17€ | 0.21€ |
500 - 2511 | 0.16€ | 0.20€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A - BSS123LT1G. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, TO-236AB, 100V, 0.17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): TO-236AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: SA. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 100mA. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.6V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 20pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.225W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante ON Semiconductor. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 01:25.
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