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Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138

Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138
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Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V - BSS138. Transistor de canal N, 0.22A, 100uA, 0.7 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.22A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.7 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 27pF. Custo): 13pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 0.88A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.36W. RoHS: sim. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 2.5 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.8V. Vgs(th) mín.: 0.8V. Produto original do fabricante Fairchild. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 02:25.

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BSS138-7-F

BSS138-7-F

Transistor de canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A....
BSS138-7-F
Transistor de canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Peso: 0.008g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V
BSS138-7-F
Transistor de canal N, 0.2A, 1.4 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. DI (T=25°C): 0.2A. On-resistência Rds On: 1.4 Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 50V. C (pol.): 50pF. Custo): 25pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 3000. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 1A. IDss (min): 0.5uA. Nota: serigrafia/código SMD SS. Marcação na caixa: SS. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.3W. RoHS: sim. Spec info: Modo de aprimoramento de nível lógico. Peso: 0.008g. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 1.5V. Vgs(th) mín.: 0.5V
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