FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 30A, 8.5A, 250uA, 19m Ohms, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 8.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 19m Ohms. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 475pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 5 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1.2V

Transistor de canal N, 5.4A, SO, SO-8. DI (T=100°C): 5.4A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 2. Diodo Trr (mín.): 15 ns. Função: Rds-on 0.030 Ohms. Proteção GS: NINCS. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Temperatura operacional: -55...+150°C

Transistor de canal N, 25V, SOT23. Vdss (dreno para tensão da fonte): 25V. Carcaça: SOT23. Polaridade: MOSFET N. Id @ Tc=25°C (corrente de drenagem contínua): 0.22A. Rds em (max) @ id, vgs: 9 Ohms / 0.2A / 2.7V. Tensão porta/fonte Vgs max: 8V. Pd (dissipação de energia, máx.): 0.35W. Tipo de montagem: SMD

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 25V, 0.68A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 25V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.68A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 303. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.44 Ohms @ 0.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 1V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 50pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. C (pol.): 2915pF. Custo): 270pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 47ms. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS . Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 104 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2-PAK. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 940pF. Custo): 110pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Função: inversor solar, UPS, máquina de solda, PFC. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 40A. Ic(pulso): 60A. Nota: Transistor MOS IGBT de canal N. Marcação na caixa: FGB20N60SF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 12 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2110pF. Custo): 200pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Marcação na caixa: FGH40N60SFD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 115 ns. Td(ligado): 25 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 1880pF. Custo): 180pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS . Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 349W. RoHS: sim. Spec info: Ic 80A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 120A (pulsed). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 92 ns. Td(ligado): 12 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 40A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 40A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2110pF. Custo): 200pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 80A. Ic(pulso): 60.4k Ohms. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 112 ns. Td(ligado): 24 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.8V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.4V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2820pF. Custo): 350pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: FGH60N60SFD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 22 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2820pF. Custo): 350pF. Diodo CE: NINCS. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: FGH60N60SF. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 22 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2915pF. Custo): 270pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Diodo Trr (mín.): 30 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: FGH60N60SMD. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 18 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V

Transistor de canal N, 25A, Outro, Outro, 1200V. Ic(T=100°C): 25A. Carcaça: Outro. Habitação (conforme ficha técnica): Outro. Tensão do coletor/emissor Vceo: 1200V. C (pol.): 1.45pF. Diodo CE: sim. Tipo de canal: N. Função: ICRM--50A Tp=1mS, Tc=25°C. Diodo de germânio: NINCS. Corrente do coletor: 39A. Ic(pulso): 50A. Nota: 7x IGBT+ CE Diode. Número de terminais: 33dB. Dimensões: 56.7x48x12mm. Pd (dissipação de energia, máx.): 175W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 0.46 ns. Td(ligado): 0.08 ns. Tecnologia: Módulo híbrido IGBT. Temperatura operacional: -40...+125°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.85V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.25V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 5.2V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.4V

Transistor de canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2150pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 730 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA10N80C. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-3PN, 900V, 11A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA11N90C. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-3PN, 900V, 11A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA11N90C_F109. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.1 Ohms @ 5.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 130 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 270 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-3PN, 900V, 11.4A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-3PN. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQA 11N90. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 140 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 340 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 300W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 9.5A, 15A, 10uA, 0.43 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. DI (T=100°C): 9.5A. DI (T=25°C): 15A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.43 Ohms. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 1580pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 43nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 60A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 218W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 8A, 12.6A, 100uA, 0.58 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 12.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2700pF. Custo): 275pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 850 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 50.4A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 155 ns. Td(ligado): 60 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 11.7A. DI (T=25°C): 18.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 2800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 74A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 65 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 12.5A, 24A, 10uA, 0.156 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 500V. DI (T=100°C): 12.5A. DI (T=25°C): 24A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.156 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 3500pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 96A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 80 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 14.9A, 23.5A, 100uA, 0.18 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. DI (T=100°C): 14.9A. DI (T=25°C): 23.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4200pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 470 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 90nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 94A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 200 ns. Td(ligado): 90 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 23.3A, 33A, 10uA, 0.067 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 150V. DI (T=100°C): 23.3A. DI (T=25°C): 33A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.067 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1250pF. Custo): 260pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 40nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 132A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 227W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 39A, 62A, 100uA, 0.029 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 250V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 62A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 4830pF. Custo): 945pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS. Id(im): 248A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 298W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 245 ns. Td(ligado): 75 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 49.5A, 70A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. DI (T=100°C): 49.5A. DI (T=25°C): 70A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 2500pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 280A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 214W. RoHS: sim. Spec info: Carga de porta baixa (típico 85nC). Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: Tecnologia DMOS . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V