Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD

Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD
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Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V - FGH60N60SFD. Transistor de canal N, 60A, TO-247, TO-247AB, 600V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AB. Tensão do coletor/emissor Vceo: 600V. C (pol.): 2820pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 47 ns. Função: Induction Heating, UPS, SMPS, PFC. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Marcação na caixa: FGH60N60SFD. Pd (dissipação de energia, máx.): 378W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 134 ns. Td(ligado): 22 ns. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão de saturação VCE(sat): 2.3V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.9V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 4 v. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6.5V. Número de terminais: 3. Unidade de condicionamento: 30. Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 04:25.

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Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-3...
FGA60N65SMD
Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. C (pol.): 2915pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 47ms. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 104 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
FGA60N65SMD
Transistor de canal N, 60A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 650V. Ic(T=100°C): 60A. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão do coletor/emissor Vceo: 650V. C (pol.): 2915pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 47ms. Corrente do coletor: 60.4k Ohms. Ic(pulso): 180A. Pd (dissipação de energia, máx.): 600W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 104 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Field Stop IGBT . Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão de saturação VCE(sat): 1.9V. Tensão máxima de saturação VCE (sat): 2.5V. Tensão porta/emissor VGE: 20V. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3.5V. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 6V. Número de terminais: 3. Função: Inversor Solar, UPS, Estação de Soldagem, PFC, Telecom, ESS . Diodo CE: sim. Diodo de germânio: NINCS
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