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Transistor de canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L

Transistor de canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L
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1 - 4 1.93€ 2.37€
5 - 9 1.84€ 2.26€
10 - 24 1.74€ 2.14€
25 - 45 1.64€ 2.02€
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Transistor de canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A - FQD7N10L. Transistor de canal N, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V, 3.67A. DI (T=25°C): 23.2A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.258 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 100V. DI (T=100°C): 3.67A. C (pol.): 220pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 5.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: FQD7N10L. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 2. Função: Carga baixa do portão. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 06:25.

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