Transistor de canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP19N10

Transistor de canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V - FQP19N10. Transistor de canal N, 13.5A, 19A, 10uA, 0.078 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. DI (T=100°C): 13.5A. DI (T=25°C): 19A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.078 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 600pF. Custo): 165pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 78 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 76A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 7.5 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 07:25.