Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.44€ | 1.77€ |
5 - 9 | 1.37€ | 1.69€ |
10 - 24 | 1.29€ | 1.59€ |
25 - 49 | 1.22€ | 1.50€ |
50 - 99 | 1.19€ | 1.46€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.35€ |
250 - 371 | 1.23€ | 1.51€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.44€ | 1.77€ |
5 - 9 | 1.37€ | 1.69€ |
10 - 24 | 1.29€ | 1.59€ |
25 - 49 | 1.22€ | 1.50€ |
50 - 99 | 1.19€ | 1.46€ |
100 - 249 | 1.10€ | 1.35€ |
250 - 371 | 1.23€ | 1.51€ |
Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1 - FQP50N06. Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220, 60V, 50A, TO-220, 60V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 50A. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FQP50N06. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.022 Ohms @ 25A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 40 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 120W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 06:25.
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