Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80

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Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - FQP7N80. Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1420pF. Custo): 150pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 95 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 07:25.

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Transistor de canal N, 4.2A, 6.6A, 100uA, 1.57 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.2A. DI (T=25°C): 6.6A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.57 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1290pF. Custo): 120pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 650 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26.4A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 167W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 27nC, Crss baixo 10pF. Proteção GS: NINCS
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