Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C

Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V - FQPF8N80C. Transistor de canal N, 5.1A, 8A, 100uA, 1.29 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.29 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1580pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 690 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Data de produção: 201432. Id(im): 32A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 59W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 65 ns. Td(ligado): 40 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 06:25.