FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 75V, 82A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 82A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F2807S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ 43A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 49 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3820pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 230W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 180A, 260A, 260A, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 260A. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 180A, 260A, 250uA, 0.019 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 6320pF. Custo): 1980pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 1020A. IDss (min): 20uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 290W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 48 ns. Td(ligado): 24 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 170A, 250uA, 0.035 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 170A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.035 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 7500pF. Custo): 970pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 41 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 680A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRF2907Z. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 97 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 60.4k Ohms, 180A, 180A, 0.03 Ohms, TO-220, TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ), 75V. DI (T=100°C): 60.4k Ohms. DI (T=25°C): 180A. Idss (máx.): 180A. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB ( AUIRF2907ZS-7PPBF ). Tensão Vds(máx.): 75V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3247pF. Custo): 781pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Tecnologia de Processo Avançada . Id(im): 390A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 55V, 98A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF3205PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3247pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 80A, 110A, 250nA, 0.008 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250nA. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3247pF. Custo): 781pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 69 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Tecnologia de Processo Avançada . Id(im): 390A. IDss (min): 25nA. Equivalentes: IRF3205SPBF. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 98A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 98A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F3205S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 59A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 50 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3247pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 75A, 110A, 250uA, 4.9m Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 75A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 4.9m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3450pF. Custo): 550pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 28 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Tecnologia de Processo Avançada . Id(im): 440A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.0049 Ohm, TO-220AB, 55V. On-resistência Rds On: 0.0049 Ohm. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 55V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 75A. Potência: 170W

Transistor de canal N, 19A, 27A, 250uA, 0.07 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 1300pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 174 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 108A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 136W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 30A, 43A, 250uA, 0.0042 Ohms, TO-220, TO-220AB, 150V. DI (T=100°C): 30A. DI (T=25°C): 43A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0042 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 150V. C (pol.): 2400pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 150A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 71 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 0.042 Ohms, TO-220, 150V. On-resistência Rds On: 0.042 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 150V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 43A. Potência: 130W

Transistor de canal N, 28A, 57A, 250uA, 23m Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 28A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 23m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3230pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 180A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 57A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF3710PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3130pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.025 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.025 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 180A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 57A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 57A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F3710S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 45 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3130pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 69A, 110A, 110A, 0.047 Ohms, TO-220, TO-220AB, 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 110A. On-resistência Rds On: 0.047 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 20V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Função: td(on) 12ns, td(off) 17ns

Transistor de canal N, 69A, 110A, 100uA, 4.7M Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 69A. DI (T=25°C): 110A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 4.7M Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 2980pF. Custo): 1770pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 48 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: DC-DC isolado de alta frequência. Id(im): 440A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 120W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 17 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 65A, 92A, 150uA, 0.0048 Ohm, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 20V. DI (T=100°C): 65A. DI (T=25°C): 92A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.0048 Ohm. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 20V. C (pol.): 2150pF. Custo): 680pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 16 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Buck síncrono de alta frequência. Id(im): 380A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.45V. Vgs(th) mín.: 1.55V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 97A, 140A, 250uA, 0.0059 Ohms, TO-220, TO-220AB, 75V. DI (T=100°C): 97A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.0059 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 5310pF. Custo): 890pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 93 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 550A. IDss (min): 20uA. Marcação na caixa: IRF3808. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 68 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 7.75A, 12A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204A ), 500V. DI (T=100°C): 7.75A. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-3 ( TO-204 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3 ( TO-204A ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2700pF. Custo): 600pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Repetitive Avalanche Ratings. Id(im): 48A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 170 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4A, 5.6A, 250uA, 0.54 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 5.6A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 180pF. Custo): 81pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 43W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 100V, 5.6A, 0.54 Ohms, TO-220, 100V. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.6A. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 100V. Marcação do fabricante: IRF510PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 5.6A. Potência: 43W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C