FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 250uA, 0.45 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 770pF. Custo): 190pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 220 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 32A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 4.2 ns. Td(ligado): 9.6 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 5.1A, 8.1A, 8.1A, 0.348 Ohms, TO-220, TO-220, 250V. DI (T=100°C): 5.1A. DI (T=25°C): 8.1A. Idss (máx.): 8.1A. On-resistência Rds On: 0.348 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 74W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: V-MOS. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 11A, 18A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1300pF. Custo): 430pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 13A, 18A, 250uA, 0.15 Ohms, TO-220, TO-220AB, 200V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1160pF. Custo): 185pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 167 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 72A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 23 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 200V, 18A, 150W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. Carcaça (padrão JEDEC): 150W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF640NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 200V, 18A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: F640NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1160pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 0.18 Ohms, TO-220, 200V. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-220. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 200V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 18A. Potência: 125W

Transistor de canal N, 8.5A, 14A, 250uA, 0.28 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. DI (T=100°C): 8.5A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 1300pF. Custo): 330pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 56A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 53 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.5A, 5.7A, 5.7A, 0.028 Ohms, 100V. DI (T=100°C): 4.5A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss (máx.): 5.7A. On-resistência Rds On: 0.028 Ohms. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 9.2ns, td(off) 18ns. Id(im): 45A. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Tecnologia: DirectFET POWER MOSFET. Quantidade por caixa: 1. Nota: isométrico

Transistor de canal N, 1.2A, 2A, 250uA, 3.6 Ohms, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 1.2A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 170pF. Custo): 34pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 6A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 36W. RoHS: sim. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 8 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 20V, 3.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7101. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 1.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 24 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 320pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3A, SO, SO-8, 50V. DI (T=25°C): 3A. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 50V. Tipo de canal: N. Função: 2xN-CH 50V. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 50V, 3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7103. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 20 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, TO-220AB, 400V, 2A, 3.6 Ohms, 400V. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF710PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.6 Ohms @ 1.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 170pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 36W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 2A. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 7.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7201. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ 7.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 550pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 400V, 3.3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF720PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 410pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 50W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.3A, 5.5A, 250uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220AB, 400V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 700pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 270 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 22A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 75W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 38 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 20V, 4.1A/4.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.1A/4.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7301. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.6A/2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 660pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.9A, 4.9A, 25uA, SO, SO-8, 30 v. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 4.9A. Idss (máx.): 25uA. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: 0.05R. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 8:1. Pd (dissipação de energia, máx.): 2W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: N&N-HEXFET Power MOSFETFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 4.9A/4.9A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.9A/4.9A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7303. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.05 Ohms @ 2.4A/2.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 520pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 4A/-3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4A/-3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7309. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms/0.1 Ohms @ 2.4/-1.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.8/11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 22/25 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 520/440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 400V, 5.5A, 75W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.5A. Carcaça (padrão JEDEC): 75W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRF730PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 3.3A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 38 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 74W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Função: Transistor N MOSFET. Número de terminais: 8:1. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal N, SO, SO-8. Carcaça: SO. Habitação (conforme ficha técnica): SO-8. Função: Transistor N MOSFET. Equivalentes: IRF7313PBF. Número de terminais: 8:1. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Quantidade por caixa: 2

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30 v, 6.5A/6.5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.5A/6.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: F7313. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.029 Ohms/0.029 Ohms @ 5.8A/5.8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C