FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 200V, 46A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP260PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 24A. DI (T=25°C): 38A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 5400pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 410 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 150A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 110 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Função: comutação rápida, dv/dt dinâmico. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. DI (T=100°C): 18A. DI (T=25°C): 27A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 4660pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 620 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(im): 110A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 500W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 27 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. DI (T=100°C): 148A. DI (T=25°C): 209A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3.6m Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 13000pF. Custo): 2100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(im): 870A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 470W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 75V, 90A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP2907PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 130 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 13000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 470W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 75V, 90A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP2907ZPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 19 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 97 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 7500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 310W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. DI (T=100°C): 190A. DI (T=25°C): 270A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.1M Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. C (pol.): 8970pF. Custo): 1020pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Retificação síncrona de alta eficiência na comutação de fontes de alimentação. Id(im): 1080A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 375W. RoHS: sim. Peso: 4.58g. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 118 ns. Td(ligado): 16 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 20A. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 2mA. On-resistência Rds On: 0.15 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 5000pF. Custo): 553pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 170 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 124A. IDss (min): 50uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 54 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. DI (T=100°C): 140A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 2.4M Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 6540pF. Custo): 720pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 33 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de energia de alta velocidade. Id(im): 840A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 150V, 43A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP3415PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 72 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 9.6A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.3 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 2600pF. Custo): 660pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 87 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MOSFET de potência HEXFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 400V, 19A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP350PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 87 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 4500pF. Custo): 1100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 420 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 92A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 100 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. DI (T=100°C): 14A. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 3400pF. Custo): 540pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 91A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 280W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 42 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 400V, 23A, 0.20 Ohms, TO-247AC HV, 400V. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-247AC HV. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 400V. Marcação do fabricante: IRFP360PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 18 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4500pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 280W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 23A. Potência: 280W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3000pF. Custo): 640pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 210 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 180A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 51A. Idss (máx.): 51A. On-resistência Rds On: 0.023 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: FastSwitch. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 100V, 40A, 180W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Carcaça (padrão JEDEC): 180W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP3710PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 58 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=100°C): 46A. DI (T=25°C): 65A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.021 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 4600pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP MOSFET. Id(im): 260A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 33 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.038 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 4560pF. Custo): 390pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: PDP MOSFET. Id(im): 180A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 310W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 25 ns. Td(ligado): 44 ns. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Peso: 5.8g. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 46A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 0.049 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 300V. C (pol.): 7370pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 190A. IDss (min): 5uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 430W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. DI (T=100°C): 40A. DI (T=25°C): 57A. Idss (máx.): 1mA. On-resistência Rds On: 0.029 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 250V. C (pol.): 5860pF. Custo): 530pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Chave PDP. Id(im): 230A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 360W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power-MOSFET. Temperatura operacional: -40...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247AC, 100V, 195A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP4468PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 52 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 160 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 19860pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 520W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 8.7A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2600pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 25. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 540 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 56A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 92us. Td(ligado): 17us. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. DI (T=100°C): 8.6A. DI (T=25°C): 14A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 2200pF. Custo): 320pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 30. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 580us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low Gate Charger. Id(im): 56A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS