FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 3.9A, 6.1A, 500uA, 2 Ohms, TO-247, TO-247AC, 1000V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 6.1A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 1000V. C (pol.): 2800pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 630 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 24A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 130 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-247AC, 2 Ohms, 1000V. Carcaça: TO-247AC. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 1000V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 6.1A. Potência: 190W

Transistor de canal N, 23A, 36A, 250uA, 0.13 Ohms, 17.4k Ohms, SUPER247, 500V. DI (T=100°C): 23A. DI (T=25°C): 36A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.13 Ohms. Carcaça: 17.4k Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): SUPER247. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 5579pF. Custo): 810pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 570 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 144A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 180W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 52 ns. Td(ligado): 23 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, 17.4k Ohms, 500V, 36A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: 17.4k Ohms. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFPS37N50APBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ 22A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5580pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 446W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.075 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.075 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 370pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 56 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 68A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 19 ns. Td(ligado): 4.9 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 17A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR024N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 60V, 14A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR024N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.075 Ohms @ 10A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.9 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 19 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 370pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 250uA, 0.54 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 180pF. Custo): 80pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 17A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 6.9ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 4.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR110PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.54 Ohms @ 2.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.9ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 180pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 31A, 44A, 250uA, 0.027 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 31A. DI (T=25°C): 44A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.027 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1300pF. Custo): 410pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 65 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 160A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 107W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 7.3 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+155°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 55V, 44A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 44A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR1205. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.027 Ohms @ 26A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.3 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 47 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 107W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 100V, 6.6A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 6.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR1205N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.21 Ohms @ 5.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4.5 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 330pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 200V, 5A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FR220N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ 5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 6.4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 20 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 43W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2A, 3.1A, 3.1A, 1.8 Ohms, D-PAK TO-252AA, 400V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 3.1A. Idss (máx.): 3.1A. On-resistência Rds On: 1.8 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 400V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET

Transistor de canal N, 49A, 71A, 250uA, 0.011 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=100°C): 49A. DI (T=25°C): 71A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.011 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 2030pF. Custo): 470pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 70 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 280A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 61A, 86A, 150uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 30 v. DI (T=100°C): 61A. DI (T=25°C): 86A. Idss (máx.): 150uA. On-resistência Rds On: 5.2m Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 2330pF. Custo): 460pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 29 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 340A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.25V. Vgs(th) mín.: 1.35V. Spec info: AUTOMOTIVE MOSFET. Função: Resistência ultrabaixa, impedância de porta ultrabaixa. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 12A, 16A, 250uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 16A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 640pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 6.4 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 19A, 27A, 0.025mA, 27A, 0.045 Ohms, D-PAK TO-252AA, 55V. DI (T=100°C): 19A. DI (T=25°C): 27A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 27A. On-resistência Rds On: 0.045 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 7ns. Id(im): 100A. Pd (dissipação de energia, máx.): 68W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. DI (T=100°C): 1.5A. DI (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. IDss (min): 25uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 1.3A, 2A, 500uA, 4.4 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 1.3A. DI (T=25°C): 2A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 4.4 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 350pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 8A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, 600V, 2A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 2A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFRC20PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.4 Ohms @ 1.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4 v. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 350pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 42W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.4 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 500pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 137 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Advanced Power MOSFET. Id(im): 36A. IDss (min): 10uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: Advanced Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4.1A, 6.5A, 6.5A, 0.34 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=100°C): 4.1A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. On-resistência Rds On: 0.34 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. Pd (dissipação de energia, máx.): 38W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Power MOSFET. Função: Carga de porta baixa (típico 22nC), Low Crss

Transistor de canal N, 3.7A, 5.8A, 5.8A, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=100°C): 3.7A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 5.8A. On-resistência Rds On: 0.45 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 32A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: Advanced Power MOSFET

Transistor de canal N, 3.9A, 5.5A, 1000uA, 0.55 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 400V. DI (T=100°C): 3.9A. DI (T=25°C): 5.5A. Idss (máx.): 1000uA. On-resistência Rds On: 0.55 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 400V. C (pol.): 1500pF. Custo): 178pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 370 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 40A. IDss (min): 250uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: NINCS