FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 30 v, 100A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL2203NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.7V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 130W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L2203NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 75A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L2203NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3290pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 74A, 104A, 104A, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 74A. DI (T=25°C): 104A. Idss (máx.): 104A. On-resistência Rds On: 0.008 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 360A. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 55V, 104A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L2505S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 43 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 39A, 55A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.026 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 3700pF. Custo): 630pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 190A. IDss (min): 10uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 49 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 20V, 110A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL3502. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 96 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 20V, 110A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L3502S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 96 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 4700pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 63A, 89A, 250uA, 0.01 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 63A. DI (T=25°C): 89A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.01 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 3600pF. Custo): 870pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 94us. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 310A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 37 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 2V. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Unidade de porta de nível lógico, comutação rápida. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 55V, 89A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL3705N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 12 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 37 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 170W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Capacitância Ciss Gate [pF]: 3600pF

Transistor de canal N, 180A, 260A, 100uA, 0.003 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 180A. DI (T=25°C): 260A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5890pF. Custo): 3130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 1040A. IDss (min): 20uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 330W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SMPS MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Função: Rds muito baixos. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 170A, 200A, 200A, 0.003 Ohms, 30 v. DI (T=100°C): 170A. DI (T=25°C): 200A. Idss (máx.): 200A. On-resistência Rds On: 0.003 Ohms. Tensão Vds(máx.): 30 v. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Resistência de Rds-on muito baixa. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. Tecnologia: SMPS MOSFET. Nota: UltraLow Gate

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 260A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L3713S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 40 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5890pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 170W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 98A, 140A, 250uA, 0.006 Ohms, TO-220, TO-220AB, 30 v. DI (T=100°C): 98A. DI (T=25°C): 140A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 470A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 200W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, TO-220AB, 30 v, 140A, 0.006 Ohms, 30V. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 30V. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Tipo de canal: N. Corrente máxima de drenagem: 140A. Potência: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 83A, 60.4k Ohms, 250uA, 0.006 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 30 v. DI (T=100°C): 83A. DI (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.006 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 5000pF. Custo): 1800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 120ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 470A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 1V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 30 v, 140A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L3803S. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 29 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 5000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 200W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK/7, 40V, 360A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK/7. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 7. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2.4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 67 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 222 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 19680pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 416W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 7.1A, 10A, 10A, 0.18 Ohms, 100V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.18 Ohms. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 35A. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Tecnologia: V-MOS TO220A

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 10A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L520N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.18 Ohms @ 6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 4 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 23 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 440pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 12A, 17A, 250uA, 0.10 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 12A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.10 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 800pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 140 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 60A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 79W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 7.2 ns. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Tecnologia: Transistor MOSFET de potência HEXFET, controlado por nível lógico. Spec info: Controle de portão por nível lógico . Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 17A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL530NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 79W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), D²-PAK, TO-263, 100V, 1.3A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D²-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-263. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 1.3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: L530NS. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7.2 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 800 ns. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 21A, 30A, 250uA, 0.044 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. DI (T=100°C): 21A. DI (T=25°C): 30A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.044 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1800pF. Custo): 350pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 190 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Controle de portão por nível lógico . Id(im): 60.4k Ohms. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 94W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 2V. Vgs(th) mín.: 1V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 100V, 36A, 140W. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 36A. Carcaça (padrão JEDEC): 140W. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRL540N. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.044 Ohms @ 18A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1800pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C