Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.26€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.15€ |
10 - 24 | 1.69€ | 2.08€ |
25 - 49 | 1.66€ | 2.04€ |
50 - 99 | 1.62€ | 1.99€ |
100 - 249 | 1.56€ | 1.92€ |
250 - 779 | 1.51€ | 1.86€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.84€ | 2.26€ |
5 - 9 | 1.75€ | 2.15€ |
10 - 24 | 1.69€ | 2.08€ |
25 - 49 | 1.66€ | 2.04€ |
50 - 99 | 1.62€ | 1.99€ |
100 - 249 | 1.56€ | 1.92€ |
250 - 779 | 1.51€ | 1.86€ |
Transistor de canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V - P2804BDG. Transistor de canal N, 8A, 10A, 1uA, 10A, 0.03 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 40V. DI (T=100°C): 8A. DI (T=25°C): 10A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 10A. On-resistência Rds On: 0.03 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 790pF. Custo): 175pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: NINCS. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 15.5 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aprimoramento de nível lógico. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 11.8 ns. Td(ligado): 2.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 11:25.
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