FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 13.1A, 20.7A, 100uA, 0.16 Ohms, TO-220, P-TO220-3-1, 650V. DI (T=100°C): 13.1A. DI (T=25°C): 20.7A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): P-TO220-3-1. Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 2400pF. Custo): 780pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 62.1A. IDss (min): 0.1uA. Marcação na caixa: 20N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 67 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 13A, 20A, 250uA, 0.16 Ohms, TO-220, TO-220, 650V. DI (T=100°C): 13A. DI (T=25°C): 20A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.16 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 650V. RoHS: sim. C (pol.): 3000pF. Custo): 1170pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 610 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 20N60S5. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 140 ns. Td(ligado): 120ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 4.5V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 55V, 80A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. RoHS: NINCS. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 2N06L11. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.015 Ohms @ 40A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 68 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2650pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 158W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.8A, 4.5A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 650V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 490pF. Custo): 160pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Proteção GS: NINCS. Id(im): 13.5A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 04N60C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 58.5 ns. Td(ligado): 6 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 7.1A, 11A, 200uA, 0.39 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 7.1A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.39 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1600pF. Custo): 800pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: NINCS. Id(im): 33A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 11N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 156W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: Cool Mos. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 3.9V. Vgs(th) mín.: 2.1V

Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: sim. Id(im): 51A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 650V, 20.7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: 20N60C3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.19 Ohms @ 13.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 3.9V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 100 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 208W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, MS-012, 30 v, 8A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ 8A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 2V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 7 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 32 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 540pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 250uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1150pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 415 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 28A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 48W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 72 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: Power-MOSFET (F). Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SOT-23, 40V, 1mA. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-23. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 40V. Corrente de drenagem Idss [A] @ Ug=0V: 1mA. RoHS: sim. Família de componentes: Transistor JFET de canal N. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P1. Tensão de ponto de interrupção da porta-fonte Ugss [V] @ Uds=0V: -1.5V @ +15V. Dissipação máxima Ptot [W]: 0.35W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 3.5m Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 40V. DI (T=100°C): 80A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 3.5m Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 40V. C (pol.): 3850pF. Custo): 650pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 40 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação, Automotivo. Proteção GS: NINCS. Id(im): 320A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 120N4F6. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET™ VI Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6.8A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.8A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 940pF. Custo): 100pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 340 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: B12NM50N. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 100uA, 0.29 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 550V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: D2PAK ( TO-263 ). Habitação (conforme ficha técnica): D2PAK ( TO-263 ). Tensão Vds(máx.): 550V. C (pol.): 850pF. Custo): 48pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 122 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: B12NM50ND. Número de terminais: 2. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. RoHS: sim. Spec info: FDmesh™ II Power MOSFET (com diodo rápido). Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: FDmesh™ II Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 470pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Proteção GS: NINCS. Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D10NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 5A, 10A, 100uA, 0.53 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 650V. DI (T=100°C): 5A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.53 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 540pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 315 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Proteção GS: NINCS. Id(im): 32A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 10NM60N. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 6.93A, 11A, 100uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ), 650V. DI (T=100°C): 6.93A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ). Tensão Vds(máx.): 650V. C (pol.): 790pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 290 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 44A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 13NM60N. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 90W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 3 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: TO-251 ( I-Pak ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-251 ( I-Pak ). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 75. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Proteção GS: sim. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D3NK80Z. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 1.57A, 2.5A, 50mA, 3.8 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 800V. DI (T=100°C): 1.57A. DI (T=25°C): 2.5A. Idss (máx.): 50mA. On-resistência Rds On: 3.8 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 485pF. Custo): 57pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: rolo. Unidade de condicionamento: 2000. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 384 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Proteção GS: sim. Id(im): 10A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D3NK80Z. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 1.9A, 3A, 1uA, 3A, 2.3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 500V. DI (T=100°C): 1.9A. DI (T=25°C): 3A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 3A. On-resistência Rds On: 2.3 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 310pF. Custo): 49pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 260 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Proteção GS: sim. Id(im): 12A. Marcação na caixa: D4NK50Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 1uA, 4A, 1.76 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 4A. On-resistência Rds On: 1.76 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 510pF. Custo): 47pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 400 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Proteção GS: sim. Id(im): 16A. Marcação na caixa: D4NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Transistor de canal N, 2.77A, 4.4A, 50uA, 1.2 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.77A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-3. Tensão Vds(máx.): 525V. C (pol.): 545pF. Custo): 45pF. Tipo de canal: N. Número de canais: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 240 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação, carga de porta minimizada, IDSS baixo. Proteção GS: sim. Id(im): 17.6A. IDss (min): 5uA. Marcação na caixa: 5N52K3. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: Enhancement type. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 29 ns. Td(ligado): 9 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.25 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-3. Tensão Vds(máx.): 525V. C (pol.): 529pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: N. Número de canais: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação, carga de porta minimizada. Proteção GS: sim. Id(im): 17.6A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 5N52U. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: Enhancement type. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23.1 ns. Td(ligado): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V

Transistor de canal N, 3A, 5A, 100uA, 0.84 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 600V. DI (T=100°C): 3A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.84 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 363pF. Custo): 24.6pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 213 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacitância efetiva extremamente baixa com classificação dv/dt extrema . Proteção GS: NINCS. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 7NM60N. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 26 ns. Td(ligado): 7 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal N, 33A, 53A, 53A, 0.07 Ohms, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 500V. DI (T=100°C): 33A. DI (T=25°C): 53A. Idss (máx.): 53A. On-resistência Rds On: 0.07 Ohms. Carcaça: ISOTOP ( SOT227B ). Habitação (conforme ficha técnica): ISOTOP ( SOT227B ). Tensão Vds(máx.): 500V. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SMPS POWER MOSFET. Id(im): 212A. Pd (dissipação de energia, máx.): 460W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Isolamento elétrico: 2500V (AC-RMS). Td(ligado): 46 ns. Tecnologia: PowerMesh II MOSFET. Tf (tipo): 38 ns. Tr: 70 ns. Temperatura operacional: -65...150°C. Tensão porta/fonte Vgs: ±30V

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V