Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52U

Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V - STD5N52U. Transistor de canal N, 2.8A, 4.4A, 500uA, 1.25 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252-3, 525V. DI (T=100°C): 2.8A. DI (T=25°C): 4.4A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 1.25 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252-3. Tensão Vds(máx.): 525V. C (pol.): 529pF. Custo): 71pF. Tipo de canal: N. Número de canais: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 50 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicações de comutação, carga de porta minimizada. Proteção GS: sim. Id(im): 17.6A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: 5N52U. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Spec info: Enhancement type. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 23.1 ns. Td(ligado): 11.4 ns. Tecnologia: UltraFASTmesh™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30V. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 01:25.