Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V - SPW17N80C3

Transistor de canal N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V - SPW17N80C3
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Transistor de canal N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V - SPW17N80C3. Transistor de canal N, 0.29 Ohms, TO-247, 11A, 17A, 250uA, TO-247, 800V. On-resistência Rds On: 0.29 Ohms. Carcaça: TO-247. DI (T=100°C): 11A. DI (T=25°C): 17A. Idss (máx.): 250uA. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. C (pol.): 2320pF. Custo): 1250pF. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 550 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Carga de porta ultra baixa com classificação extrema dv / dt . Proteção GS: sim. Id(im): 51A. IDss (min): 0.5uA. Marcação na caixa: 17N80C3. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 208W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 77 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Cool Mos POWER transistor. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Infineon Technologies. Quantidade em estoque atualizada em 26/07/2025, 11:25.

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Transistor de canal N, 11A, 17A, 250uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 11A. DI (T=2...
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