Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.92€ | 1.13€ |
50 - 99 | 0.90€ | 1.11€ |
100 - 109 | 0.80€ | 0.98€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.02€ | 1.25€ |
5 - 9 | 0.97€ | 1.19€ |
10 - 24 | 0.94€ | 1.16€ |
25 - 49 | 0.92€ | 1.13€ |
50 - 99 | 0.90€ | 1.11€ |
100 - 109 | 0.80€ | 0.98€ |
Transistor de canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V - STD10NF10. Transistor de canal N, 9A, 13A, 10uA, 0.115 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( D-PAK ), 100V. DI (T=100°C): 9A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.115 Ohms. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( D-PAK ). Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 470pF. Custo): 70pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 90 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: SWITCHING APPLICATION. Proteção GS: NINCS. Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: D10NF10. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 32 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: Baixa carga de porta STRipFET™ II Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 01:25.
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