Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.65€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.56€ |
10 - 24 | 1.23€ | 1.51€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.16€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.13€ |
100 - 147 | 0.89€ | 1.09€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.34€ | 1.65€ |
5 - 9 | 1.27€ | 1.56€ |
10 - 24 | 1.23€ | 1.51€ |
25 - 49 | 0.94€ | 1.16€ |
50 - 99 | 0.92€ | 1.13€ |
100 - 147 | 0.89€ | 1.09€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A - SI4559EY-E3. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, MS-012, 60V/-60V, 4.5A/-3.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Carcaça (padrão JEDEC): MS-012. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V/-60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 4.5A/-3.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4559EY. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms/0.075 Ohms @ 4.5/-3.9A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns/8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 36/12ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.4W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Produto original do fabricante Vishay (siliconix). Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 07:25.
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