Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 1.31€ | 1.61€ |
5 - 9 | 1.24€ | 1.53€ |
10 - 24 | 1.20€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.18€ | 1.45€ |
50 - 99 | 1.15€ | 1.41€ |
100 - 249 | 0.74€ | 0.91€ |
250 - 1338 | 0.71€ | 0.87€ |
Quantidade | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.31€ | 1.61€ |
5 - 9 | 1.24€ | 1.53€ |
10 - 24 | 1.20€ | 1.48€ |
25 - 49 | 1.18€ | 1.45€ |
50 - 99 | 1.15€ | 1.41€ |
100 - 249 | 0.74€ | 0.91€ |
250 - 1338 | 0.71€ | 0.87€ |
Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A - SI4532CDY-T1-GE3. Transistor de canal N, Soldagem PCB (SMD), SO8, 30V/-30V, 5.2A/-3.4A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SO8. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 30V/-30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A/-3.4A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 8:1. Marcação do fabricante: SI4532CDY-T1-E3. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.065 Ohms/0.14 Ohms @ 5.2/-3.4A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V/-4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns/10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 25/30 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 305/340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.14W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C. Produto original do fabricante Vishay. Quantidade em estoque atualizada em 09/06/2025, 08:25.
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