Transistor de canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP11NM80

Transistor de canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V - STP11NM80. Transistor de canal N, 4.7A, 11A, 100uA, 0.35 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 11A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.35 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1630pF. Custo): 750pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 612 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 44A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: P11NM80. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 22 ns. Tecnologia: MDmesh MOSFET. Temperatura operacional: -65...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.