FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 1.89A, 3A, 50uA, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. DI (T=100°C): 1.89A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3.6 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 590pF. Custo): 63pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 510 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Id(im): 12A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55°C a +150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Tensão porta/fonte (desligada) máx.: 4.5V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. DI (T=100°C): 2A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 16A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 100W. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 2.4A, 4A, 50uA, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 2.4A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 700pF. Custo): 95pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 600 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 12 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 500V, 3A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P4NK50Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 310pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 45W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 2.5A, 4A, 4A, 1.76 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 2.5A. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. On-resistência Rds On: 1.76 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 16A. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener

Transistor de canal N, 4A, 4A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=25°C): 4A. Idss (máx.): 4A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener

Transistor de canal N, 1.89A, 3A, 3A, 3 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 1.89A. DI (T=25°C): 3A. Idss (máx.): 3A. On-resistência Rds On: 3 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: SuperMESH. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener

Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.019 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.019 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 3050pF. Custo): 380pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 110 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 220A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NE06. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 130W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(ligado): 30 ns. Tecnologia: transistor MOSFET de potência . Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 35A, 50A, 10uA, 0.015 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 35A. DI (T=25°C): 50A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.015 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1300pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 75 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 200A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 39A, 55A, 10uA, 0.016 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 39A. DI (T=25°C): 55A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.016 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Custo): 300pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 220A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P55NF06L. Pd (dissipação de energia, máx.): 95W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40ms. Td(ligado): 20ms. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 16V. Vgs(th) máx.: 1.7V. Vgs(th) mín.: 1V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 1 kV, 3.5A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P5NK100Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 23 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 52 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1154pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 125W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal N, 3.6A, 5A, 50uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3.6A. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 690pF. Custo): 90pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 485 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 36ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+ °C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 2.7A, 4.3A, 50uA, 1.9 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 910pF. Custo): 98pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 500 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 17.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 1.9 Ohms, 2.7A, 4.3A, 50uA, TO-220FP, TO-220FP, 800V, TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV, 800V. On-resistência Rds On: 1.9 Ohms. DI (T=100°C): 2.7A. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 50uA. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Carcaça: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Tensão da fonte de drenagem (Vds): 800V. Tipo de canal: N. Id(im): 17.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P5NK80ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Tipo de transistor: transistor de potência MOSFET . Corrente máxima de drenagem: 4.3A. Potência: 110W. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.014 Ohms, TO-220, TO-220AB, 60V. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.014 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1810pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 73ms. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 240A. IDss (min): 1uA. Temperatura: +175°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Temperatura operacional: -65...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Custo): 360pF. Spec info: Capacidade excepcional de dv/dt. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-220AB, 60V, 60A, TO-220, TO-220, 60V, 1. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. Carcaça (padrão JEDEC): 1. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: P60NF06L. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 35 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 55 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2000pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 35 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 15V. Vgs(th) máx.: 2.5V. Vgs(th) mín.: 1V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -65°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C. Spec info: carga de porta baixa, VGS(th) 1...2,5V

Transistor de canal N, 37.5A, 62A, 0.01mA, 62A, 12.5m Ohms, TO-220, TO-220, 33V. DI (T=100°C): 37.5A. DI (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (máx.): 62A. On-resistência Rds On: 12.5m Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 33V. C (pol.): 1330pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 45 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: totalmente protegido. Id(im): 248A. Marcação na caixa: P62NS04Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 41 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 10V. Tensão porta/fonte (desligada) mín.: 2V. Vgs(th) máx.: 4 v. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 42A, 60A, 10uA, 0.0115 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. DI (T=100°C): 42A. DI (T=25°C): 60A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0115 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 1700pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Diodo Trr (mín.): 70us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Id(im): 240A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P65NF06. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 40 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 104W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3.8A, 6A, 50uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 3.8A. DI (T=25°C): 6A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 905pF. Custo): 115pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 445 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 24A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 32W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 47 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3.5V. Quantidade por caixa: 1. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220, TO-220, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK90Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 3.65A, 5.8A, 50uA, 1.56 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 900V. DI (T=100°C): 3.65A. DI (T=25°C): 5.8A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.56 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 900V. C (pol.): 1350pF. Custo): 130pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 840 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 23.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P6NK90ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Função: Transistor MOSFET de potência protegido por Zener. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim

Transistor de canal N, 70A, 80A, 10uA, 0.0095 Ohms, TO-220, TO-220, 75V. DI (T=100°C): 70A. DI (T=25°C): 80A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.0095 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 75V. C (pol.): 3700pF. Custo): 730pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 132 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(im): 320A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P75NF75. Pd (dissipação de energia, máx.): 300W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 66 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS

Transistor de canal N, 4A, 6.5A, 6.5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 800V. DI (T=100°C): 4A. DI (T=25°C): 6.5A. Idss (máx.): 6.5A. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Zener-Protected. Pd (dissipação de energia, máx.): 40W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMesh. Quantidade por caixa: 1

Transistor de canal N, 3.3A, 5.2A, 50uA, 1.5 Ohms, TO-220, TO-220, 800V. DI (T=100°C): 3.3A. DI (T=25°C): 5.2A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 1138pF. Custo): 122pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 20.8A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P7NK80Z. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 45 ns. Td(ligado): 20 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Quantidade por caixa: 1. Spec info: Zener-Protected. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim