Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60

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Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V - STP9NB60. Transistor de canal N, 5.7A, 9A, 9A, 0.8 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. DI (T=100°C): 5.7A. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Pd (dissipação de energia, máx.): 125W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: PowerMesh. Quantidade por caixa: 1. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.

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Transistor de canal N, 5.8A, 9.2A, 250uA, 0.75 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. DI (T=100°C): 5.8A. DI (T=25°C): 9.2A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220AB. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1400pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 530 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Dynamic dv/dt Rating. Id(im): 37A. IDss (min): 25uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 170W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 30 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Spec info: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS
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