Quantidade | sem IVA | IVA incl. |
---|---|---|
1 - 4 | 0.85€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.76€ | 0.93€ |
50 - 99 | 0.74€ | 0.91€ |
100 - 249 | 0.72€ | 0.89€ |
250 - 1933 | 0.63€ | 0.77€ |
Quantidade | U.P | |
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1 - 4 | 0.85€ | 1.05€ |
5 - 9 | 0.80€ | 0.98€ |
10 - 24 | 0.78€ | 0.96€ |
25 - 49 | 0.76€ | 0.93€ |
50 - 99 | 0.74€ | 0.91€ |
100 - 249 | 0.72€ | 0.89€ |
250 - 1933 | 0.63€ | 0.77€ |
Transistor de canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V - STQ1NK60ZR-AP. Transistor de canal N, 0.189A, 0.3A, 50uA, 13 Ohms, TO-92, TO-92Ammopak, 600V. DI (T=100°C): 0.189A. DI (T=25°C): 0.3A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 13 Ohms. Carcaça: TO-92. Habitação (conforme ficha técnica): TO-92Ammopak. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 94pF. Custo): 17.6pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 135 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Capacidade melhorada contra ESD e protegida por Zener. Proteção GS: sim. Id(im): 1.2A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 1NK60ZR. Pd (dissipação de energia, máx.): 3W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 13 ns. Td(ligado): 5.5 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET. Temperatura operacional: -50...+150°C. Tensão porta/emissor VGE(th) min.: 3V. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Produto original do fabricante Stmicroelectronics. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.
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