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Transistor de canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640

Transistor de canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640
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Transistor de canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640. Transistor de canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. DI (T=100°C): 10A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 200uA. On-resistência Rds On: 0.73 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F15. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 950pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 450 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: K2640. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 50W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 25 ns. Tecnologia: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3.5V. Produto original do fabricante Fuji Electric. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 08:25.

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Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 50. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Proteção GS: NINCS. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V
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