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Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667

Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667
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Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3667. Transistor de canal N, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 7.5A. DI (T=25°C): 7.5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.75 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 1200 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 30A. Marcação na caixa: K3667. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 45W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 150 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura operacional: -...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 09:25.

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Transistor de canal N, 4.4A, 7A, 50uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 4.4A. DI (T=25°C): 7A. Idss (máx.): 50uA. On-resistência Rds On: 0.85 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1110pF. Custo): 135pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 480 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(im): 28A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: P9NK60ZFP. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 43 ns. Td(ligado): 19 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: sim
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