Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3502-01MR

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3502-01MR
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
[TITLE]
Quantidade sem IVA IVA incl.
1 - 1 11.58€ 14.24€
Quantidade U.P
1 - 1 11.58€ 14.24€
Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!
Quantidade em estoque : 1
Conjunto de 1

Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V - 2SK3502-01MR. Transistor de canal N, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 250uA. On-resistência Rds On: 0.58 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1200pF. Custo): 140pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 0.75us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Fontes de alimentação comutadas (SMPS). Id(im): 40A. IDss (min): 25uA. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 70W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 35 ns. Td(ligado): 17 ns. Tecnologia: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Nota: Panasonic--B1CERR000022. Quantidade por caixa: 1. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 09:25.

Produtos equivalentes :

Quantidade em estoque : 17
STF11NM60ND

STF11NM60ND

Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. D...
STF11NM60ND
Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
STF11NM60ND
Transistor de canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 6.3A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.37 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 850pF. Custo): 44pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Diodo Trr (mín.): 130 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Id(im): 40A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 11NM60ND. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 50 ns. Td(ligado): 16 ns. Tecnologia: MDmesh II POWER MOSFET. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 5V. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 50. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
Conjunto de 1
5.17€ IVA incl.
(4.20€ sem IVA)
5.17€
Quantidade em estoque : 69
STF18NM60N

STF18NM60N

Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI...
STF18NM60N
Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
STF18NM60N
Transistor de canal N, 8.2A, 13A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 8.2A. DI (T=25°C): 13A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 0.26 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220FP. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 1000pF. Custo): 60pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 52A. IDss (min): 1uA. Marcação na caixa: 18NM60. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 55 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: MDmesh™ II Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 25V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Função: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS
Conjunto de 1
4.26€ IVA incl.
(3.46€ sem IVA)
4.26€

Também recomendamos :

Quantidade em estoque : 380
2SC4106

2SC4106

Transistor NPN, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Corrente do coletor: 7A. Carcaça: TO-220. Habitação (...
2SC4106
[LONGDESCRIPTION]
2SC4106
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.90€ IVA incl.
(0.73€ sem IVA)
0.90€
Quantidade em estoque : 35
M-TL002

M-TL002

Conectores: Plugue banana de 4 mm - ponta de medição. Função: 2 cabos de medição. Comprimento:...
M-TL002
[LONGDESCRIPTION]
M-TL002
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
4.29€ IVA incl.
(3.49€ sem IVA)
4.29€
Quantidade em estoque : 203
STGP10NC60KD

STGP10NC60KD

Transistor de canal N, 10A, TO-220, TO-220, 600V. Ic(T=100°C): 10A. Carcaça: TO-220. Habitação (...
STGP10NC60KD
[LONGDESCRIPTION]
STGP10NC60KD
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.73€ IVA incl.
(2.22€ sem IVA)
2.73€
Quantidade em estoque : 49
STGF10NB60SD

STGF10NB60SD

Transistor de canal N, 7A, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Ic(T=100°C): 7A. Carcaça: TO-220FP. Habitaç...
STGF10NB60SD
[LONGDESCRIPTION]
STGF10NB60SD
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
3.51€ IVA incl.
(2.85€ sem IVA)
3.51€
Quantidade em estoque : 99
STP80NF06

STP80NF06

Transistor de canal N, 80A, 80A, 10uA, 0.0065 Ohms, TO-220, TO-220AB, 55V. DI (T=100°C): 80A. DI (T...
STP80NF06
[LONGDESCRIPTION]
STP80NF06
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
2.92€ IVA incl.
(2.37€ sem IVA)
2.92€
Quantidade em estoque : 517
MOF3WS-1M

MOF3WS-1M

Resistência: 1M Ohms. Potência: 3W. Tipo de resistor: Camada metálica . Estabilidade de temperatu...
MOF3WS-1M
[LONGDESCRIPTION]
MOF3WS-1M
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
0.12€ IVA incl.
(0.10€ sem IVA)
0.12€
Quantidade em estoque : 47
TINE1-100GR-0-5

TINE1-100GR-0-5

Diâmetro: 0.5mm. Peso: 100g. Tipo: Sem chumbo. Eutético: NINCS. Capacidade de fluxo de solda: 3%/3...
TINE1-100GR-0-5
[LONGDESCRIPTION]
TINE1-100GR-0-5
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
23.17€ IVA incl.
(18.84€ sem IVA)
23.17€
Quantidade em estoque : 22
MDF11N60TH

MDF11N60TH

Transistor de canal N, 6.9A, 11A, 1uA, 0.45 Ohms, TO-220FP, TO220F, 600V. DI (T=100°C): 6.9A. DI (T...
MDF11N60TH
[LONGDESCRIPTION]
MDF11N60TH
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
4.50€ IVA incl.
(3.66€ sem IVA)
4.50€
Fora de estoque
STP11NM60FP

STP11NM60FP

Transistor de canal N, 7A, 11A, 10uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. DI (T=100°C): 7A. DI (T=2...
STP11NM60FP
[LONGDESCRIPTION]
STP11NM60FP
[LONGDESCRIPTION]
[MODCATID]
[LOT]
4.90€ IVA incl.
(3.98€ sem IVA)
4.90€

Informações e ajuda técnica

Pelo telefone :

Pagamento e entrega

Entrega em 2 a 3 dias, com rastreamento postal!

Assine o boletim informativo

Concordo em receber e-mails e entendo que posso cancelar a inscrição a qualquer momento após o registro.

Todos os direitos reservados, RPtronics, 2024.