Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V - 2SK3199

Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V - 2SK3199
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5 - 9 5.52€ 6.79€
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20 - 29 5.22€ 6.42€
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Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V - 2SK3199. Transistor de canal N, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. DI (T=25°C): 5A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO220F-3L. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 650pF. Custo): 250pF. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 2us. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Transistor N MOSFET. Id(im): 20A. IDss (min): 0.1uA. Equivalentes: FS5KM-10-AW. Pd (dissipação de energia, máx.): 30W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 60 ns. Td(ligado): 18 ns. Tecnologia: V-MOS (F). Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V. Produto original do fabricante Sanken. Quantidade em estoque atualizada em 08/06/2025, 13:25.

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Transistor de canal N, 2.6A, 4.5A, 10uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. DI (T=100°C): 2.6A. DI (T=25°C): 4.5A. Idss (máx.): 10uA. On-resistência Rds On: 2 Ohms. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 600V. C (pol.): 515pF. Custo): 55pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 300 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Troca rápida, carga de porta baixa 15nC, Crss baixo 6,5pF. Proteção GS: NINCS. Id(im): 18A. IDss (min): 1uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 33W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 46 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V
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