Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956

Transistor de canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956
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Transistor de canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V - 2SK956. Transistor de canal N, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. DI (T=25°C): 9A. Idss (máx.): 9A. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Carcaça: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 800V. Tipo de canal: N. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 26A. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: F-II Series POWER MOSFET. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 20:25.

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Transistor de canal N, 6.32A, 10A, 100uA, 0.93 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. DI (T=100°C): 6.32A. DI (T=25°C): 10A. Idss (máx.): 100uA. On-resistência Rds On: 0.93 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3PN. Tensão Vds(máx.): 800V. C (pol.): 2150pF. Custo): 180pF. Tipo de canal: N. Condicionamento: tubo de plástico. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Diodo Trr (mín.): 730 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Id(im): 40A. IDss (min): 10uA. Marcação na caixa: FQA10N80C. Pd (dissipação de energia, máx.): 240W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 90 ns. Td(ligado): 50 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 3V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Unidade de condicionamento: 30. Função: Comutação rápida, baixa carga de porta (típico 44nC). Proteção GS: NINCS
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