Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. Transistor de canal N, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. DI (T=100°C): 4.7A. DI (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (máx.): 5.7A. On-resistência Rds On: 22m Ohms. Carcaça: SOT-23 ( TO-236 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-23 ( TO236 ). Tensão Vds(máx.): 30 v. C (pol.): 630pF. Custo): 75pF. Tipo de canal: N. Diodo Trr (mín.): 16.8 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Aplicativos de comutação ou PWM. Id(im): 25A. IDss (min): 1uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 1uA. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 21.5 ns. Td(ligado): 3.2 ns. Tecnologia: Transistor de efeito de campo do modo de aprimoramento . Tensão porta/fonte Vgs: 12V. Número de terminais: 3. Quantidade por caixa: 1. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Proteção GS: NINCS. Quantidade em estoque atualizada em 21/04/2025, 00:25.