Componentes e equipamentos eletrônicos, para empresas e indivíduos
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Semicondutores Transistores FETs e MOSFETs de canal N

Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936

Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936
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Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V - 2SK3936. Transistor de canal N, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 500uA. On-resistência Rds On: 0.20 Ohms. Carcaça: TO-3PN ( 2-16C1B ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-3P. Tensão Vds(máx.): 500V. C (pol.): 4250pF. Custo): 420pF. Tipo de canal: N. Proteção contra fonte de drenagem: diodo . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 380 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Regulador de comutação. Id(im): 92A. Número de terminais: 3. Temperatura: +150°C. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 80 ns. Td(ligado): 45 ns. Tecnologia: Tipo MOS de efeito de campo (MACH-II-MOS VI). Tensão porta/emissor VGE(th)máx.: 4 v. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) mín.: 2V. Proteção GS: sim. Quantidade em estoque atualizada em 20/04/2025, 18:25.

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Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Carcaça: solda...
STW20NK50Z
Transistor de canal N, soldagem PCB, TO-247, 500V, 17A, 0.23 Ohms, TO-247, 500V, 30. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. On-resistência Rds On: 0.23 Ohms. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247. Tensão Vds(máx.): 500V. Carcaça (padrão JEDEC): 30. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, N-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: W20NK50Z. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: 4.5V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 28 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 70 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 2600pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 190W. Pd (dissipação de energia, máx.): 190W. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 70 ns. Td(ligado): 28 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Tensão porta/fonte Vgs: 30 v. Vgs(th) máx.: 4.5V. Vgs(th) mín.: 3V. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C
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