Transistores FET e MOSFET

Transistor de canal P, 1.8A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 60V. DI (T=25°C): 1.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Condicionamento: tubo de plástico. Unidade de condicionamento: 100dB. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 13A. DI (T=100°C): 1.1A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, HD-1, -60V, -1.6A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: HD-1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.6A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9024PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.28 Ohms @ -0.96A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 13 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 570pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.7A, 500uA, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=25°C): 0.7A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 82 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 5.6A. DI (T=100°C): 0.49A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET POWWER MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, DIP4, -100V, -0.7A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.7A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9110PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.42A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.1A, 0.1A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 100V. DI (T=25°C): 0.1A. Idss (máx.): 0.1A. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.6A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1.3W. On-resistência Rds On: 0.6 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldagem PCB, DIP4, -100V, -1A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: DIP4. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9120PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.6 Ohms @ -0.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 9.6 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 21 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 390pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1.3W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 0.56A, 0.56A, DIP, DH-1 house, DIP-4, 200V. DI (T=25°C): 0.56A. Idss (máx.): 0.56A. Carcaça: DIP. Habitação (conforme ficha técnica): DH-1 house, DIP-4. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: FET. Função: Transistor MOSFET de canal P. DI (T=100°C): 0.34A. Número de terminais: 4. Pd (dissipação de energia, máx.): 1W. On-resistência Rds On: 1.5 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, soldagem PCB, HD-1, -200V, -0.56A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: HD-1. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.56A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 4. Marcação do fabricante: IRFD9220PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.5 Ohms @ -0.34A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 8.8 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 7.3 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 340pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, ITO-220AB, -100V, -11A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: ITO-220AB. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -11A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFI9540GPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -6.6A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 24 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 48W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 4.3A, 4.3A, TO-220FP, TO-220F, 200V. DI (T=25°C): 4.3A. Idss (máx.): 4.3A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 200V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 12ns, td(off) 28ns. DI (T=100°C): 2.7A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 0.8 Ohms. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, 4.1A, 4.1A, TO-220FP, TO-220F, 250V. DI (T=25°C): 4.1A. Idss (máx.): 4.1A. Carcaça: TO-220FP. Habitação (conforme ficha técnica): TO-220F. Tensão Vds(máx.): 250V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: td(on) 12ns, td(off) 34ns. DI (T=100°C): 2.6A. Pd (dissipação de energia, máx.): 35W. On-resistência Rds On: 1 Ohm. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, 1.5A, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.5A. Idss (máx.): 1.5A. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 100V. Tipo de canal: P. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. DI (T=100°C): 0.96A. Nota: b47kaa. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 0.54 Ohms. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Tecnologia: HEXFET Power MOSFET

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -60V, -0.18A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FE. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -1.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 270pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 1.1A, 500uA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 100V. DI (T=25°C): 1.1A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: SOT-223 ( TO-226 ). Habitação (conforme ficha técnica): SOT-223. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 200pF. Custo): 94pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 8.8A. DI (T=100°C): 0.69A. IDss (min): 100uA. Pd (dissipação de energia, máx.): 3.1W. On-resistência Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), SOT-223, -100V, -1.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: SOT-223. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: FF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -0.66A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 10 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 15 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 3.1W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 23A, 250mA, TO-247, TO-247AC, 100V. DI (T=25°C): 23A. Idss (máx.): 250mA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 100V. C (pol.): 1300pF. Custo): 400pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 150 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 76A. DI (T=100°C): 16A. IDss (min): 25mA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 140W. On-resistência Rds On: 0.117 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 51 ns. Td(ligado): 15 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-247AC, -100V, -23A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -23A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP9140NPBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.117 Ohms @ -13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 15 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 51 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1300pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 140W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-247AC, -100V, -21A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247AC. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -21A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP9140PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ -13A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 16 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 34 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1400pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 180W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +175°C

Transistor de canal P, 12A, 500uA, TO-247, TO-247AC, 200V. DI (T=25°C): 12A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: TO-247. Habitação (conforme ficha técnica): TO-247AC. Tensão Vds(máx.): 200V. C (pol.): 1200pF. Custo): 370pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 250 ns. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 48A. DI (T=100°C): 7.5A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 3. Pd (dissipação de energia, máx.): 150W. On-resistência Rds On: 0.57 Ohms. RoHS: sim. Spec info: transistor complementar (par) IRFP240. Montagem/instalação: montagem através de furo PCB. Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, soldagem PCB, TO-247, -200V, -12A. Carcaça: soldagem PCB. Carcaça: TO-247. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -12A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: montagem através de furo PCB. Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFP9240PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -7.2A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 14 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 39 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 1200pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 150W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 31A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 55V. DI (T=25°C): 31A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 1200pF. Custo): 520pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 71ms. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 110A. DI (T=100°C): 22A. IDss (min): 25uA. Marcação na caixa: IRFR5305. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 110W. On-resistência Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 39 ns. Td(ligado): 14 ns. Tecnologia: HEXFET ® Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+175°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 18A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), D-PAK TO-252AA, 55V. DI (T=25°C): 18A. Idss (máx.): 250uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): D-PAK TO-252AA. Tensão Vds(máx.): 55V. C (pol.): 650pF. Custo): 270pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: sim. Quantidade por caixa: 1. Tipo de transistor: MOSFET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 64A. DI (T=100°C): 11A. IDss (min): 25uA. Equivalentes: IRFR5505TRLPBF, IRFR5505TRPBF. Pd (dissipação de energia, máx.): 57W. On-resistência Rds On: 0.11 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 20 ns. Td(ligado): 12 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Vgs(th) máx.: 4 v. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, 5.1A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. DI (T=25°C): 5.1A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 270pF. Custo): 170pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 80 ns. Tipo de transistor: FET. Função: Comutação de alta velocidade . Proteção GS: NINCS. Id(im): 20A. DI (T=100°C): 3.2A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 25W. On-resistência Rds On: 0.50 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 9.6 ns. Td(ligado): 11 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V

Transistor de canal P, Soldagem PCB (SMD), D-PAK, TO-252, -60V, -5.1A. Carcaça: Soldagem PCB (SMD). Carcaça: D-PAK. Carcaça (padrão JEDEC): TO-252. Tensão da fonte de drenagem Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.1A. RoHS: sim. Família de componentes: MOSFET, P-MOS. Configuração: componente montado em superfície (SMD) . Número de terminais: 3. Marcação do fabricante: IRFR9014PBF. Corrente de drenagem através do resistor Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -3.1A. Tensão de ruptura da porta Ugs [V]: -4V. Tempo de ativação ton [nseg.]: 11 ns. Atraso de desligamento tf[nsec.]: 9.6 ns. Capacitância Ciss Gate [pF]: 270pF. Dissipação máxima Ptot [W]: 2.5W. Faixa de temperatura operacional mínima (°C): -55°C. Faixa de temperatura operacional máxima (°C): +150°C

Transistor de canal P, 8.8A, 500uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 60V. DI (T=25°C): 8.8A. Idss (máx.): 500uA. Carcaça: D-PAK ( TO-252 ). Habitação (conforme ficha técnica): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tensão Vds(máx.): 60V. C (pol.): 570pF. Custo): 360pF. Tipo de canal: P. Proteção contra fonte de drenagem: diodo Zener . Quantidade por caixa: 1. Diodo Trr (mín.): 100us. Tipo de transistor: MOSFET. Proteção GS: NINCS. Id(im): 35A. DI (T=100°C): 5.6A. IDss (min): 100uA. Número de terminais: 2. Pd (dissipação de energia, máx.): 42W. On-resistência Rds On: 0.28 Ohms. RoHS: sim. Montagem/instalação: componente montado em superfície (SMD) . Td(desligado): 15 ns. Td(ligado): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura operacional: -55...+150°C. Tensão porta/fonte Vgs: 20V. Vgs(th) mín.: 2V